美光季報解析：AI 加速消耗過剩產能，DRAM 價格上漲無虞
前言
又來到台股美股提款機單元，在這個單元中，我們將透過產業角度，介紹台股供應鏈高連動的美股巨頭，讓你認識更多值得關注的美股標的。
記憶體巨頭美光 (MU) 在 3/21 公布了最新一季營運報告。今天我們就來檢視報告中釋出的相關訊息，了解記憶體產業後續展望。
美光會計季度 24Q2 營運表現回顧
美光上季各項營運表現持續好轉，且明顯優於財測預期：
首先營收 58.2 億美元，季成長 +23%，連續四季成長，且表現高於財測範圍上緣；
Non GAAP 毛利率 20%，較上季回升 +19.2 個百分點，明顯高於財測上緣；
Non GAAP EPS +0.42 元，連續 5 季虧損後轉盈，明顯高於財測上緣
DRAM 與 NAND 產品價格上漲幅度強於預期
美光上季表現明顯優於財測，個人認為主要原因在於產品價格漲幅強於預期：
DRAM 位元出貨量較上季僅成長低個位數，但平均單價漲幅較上季大幅成長 +17~19%，單價漲幅顯著高於出貨量，帶動 DRAM 營收季成長 +21.3%
儘管 NAND 位元出貨量季衰退約低個位數，但平均單價強勁上漲超過 +30%，使得 NAND 營收仍然季成長 +27.4%，連續四季攀升
綜合以上來看，無論 DRAM 或是 NAND 業務，成長動能主要都來自於價格顯著上漲。在價格上漲幅度強於預期下，帶動公司營運提早轉虧為盈，結束了連續五季衰退。
AI 加速消耗晶圓產能，位元產能變相縮減
展望 24Q2 ( 會計季度 24Q3)，美光預期營運更進一步加速好轉：
公司預估營收 64~68 億美元，以平均值來看將較上季成長 +13.4%
Non GAAP 毛利率預期 25~28%，中位數較上季增加 +6.5 個百分點
Non GAAP EPS 預估每股 0.38~0.52 美元，以平均值來看將較上季成長 +7%
儘管進入淡季後預期位元出貨量表現仍平淡，但公司看好記憶體價格仍將上漲，帶動 DRAM、NAND 業務都淡季不淡。
AI 加速消耗晶圓產能，位元產能變相縮減
價格上漲主要得益於整體產業供給成長緩慢：
AI 帶動 HBM 需求猛增，然而各家 HBM 生產良率明顯低於一般 DDR 下，更多產出將為不良品無法出貨給客戶，造成產能變相縮減。參考美光說法，相同容量下其 HBM3E 消耗的晶圓生產量約為 DDR5 的 3 倍
參考研調機構 Trendforce 預估，24 年 DRAM 晶圓產能中高達 14% 將用於生產 HBM，但考量良率的損失，個人推估將導致 HBM 僅佔最終 DRAM 位元出貨量比重約 4.7%，相當於 10% 晶圓產能因 HBM 良率較低而流失。
AI 不僅對 HBM 需求殷切，也加速 DDR5 升級需求。然而 DDR5 的晶片尺寸較 DDR4 大，這也意味著單片 12 吋晶圓可以產出的晶片供給量會變少，同樣造成位元產能變相縮減
在 AI 近期需求持續爆發下，龍頭廠將產能轉移優先生產 HBM、DDR5 先進製程，將使得前面所述產能變相縮減現象更趨顯著。綜合以上，個人維持上季以來觀點：
2024 年 DRAM 供給增幅仍將低於需求成長，美光資本預算增加並不影響供需好轉趨勢。個人預期 DRAM 產業景氣 2024 年仍將逐季擴張。
整體需求持續好轉，上調 DRAM 與 NAND 需求成長
不僅供給面持續有利，美光在需求面也看到更多曙光。不僅 PC、手機需求已經於 23 年走出谷底，伺服器需求於 24 年接棒復甦越發明顯：
公司看到伺服器客戶記憶體顯著去化，預期伺服器記憶體去庫存將在 24 上半年結束
公司看好通用伺服器全年銷量將溫和復甦，對 2024 年伺服器銷量成長率預估由中低個位數上調為中高個位數。
AI 伺服器需求強勁，推動公司的 HBM、DDR5、企業級 SSD 等高規產品快速成長
由於對伺服器需求更加看好，美光對於 DRAM 、NAND 全年位元需求成長率雙雙上調。以此來看，美光觀點持續符合個人 4 季前的預期：
考量 Server 需求用量將在 2023 超越手機成為 DRAM 最大市場，隨著 PC 與 手機記憶體需求率先於 23H2 谷底反彈，個人預期 24 年將由 Server 需求：AI + DDR5 升級接棒，帶動 DRAM 景氣持續向上。
由美光看相關產業鏈上公司後續展望
最後我們嘗試從美光的最新財測，推估其他相關產業鏈上公司 24 年營運表現
先進製程 DRAM 原廠：HBM 與 DDR5 需求加持，24 年業績加速擴張
伺服器目前已經超越手機為 DRAM 最大市場，考量去庫存也將在 24 上半年告一段落，將有利於 DRAM 景氣持續擴張。個人持續預期 DRAM 先進製程三大龍頭廠：三星、海力士、美光 2024 年業績加速成長。
成熟製程 DRAM 原廠：下半年供需有喜有憂，注意中國合肥長鑫存儲下半年產出動向
個人於去年 12/4 應用材料季報解析中曾提出觀點：
中國 DRAM 龍頭 - 合肥長鑫過去兩季瘋狂大量採購設備，有可能於 24~25 年投產使得 DRAM 供給增加。考量合肥長鑫存儲目前最先進製程僅在 17~19nm，將對製程同樣在 19~25nm 的南亞科 (2408)、華邦電 (2344)、力積電 (6770) 帶來競爭威脅最大。考量設備裝機到生產需要 3 季以上，投資人應該關注 24H2 後合肥長鑫產出動向，是否開始對南亞科、華邦電等利基 DRAM 業者帶來競爭壓力。
回顧成熟製程 DRAM 業者：南亞科、華邦電自 12/4 至今股價表現，卻也 “恰巧” 明顯不如台股大盤
隨著 DRAM 下游需求好轉，龍頭業者擴產重心又僅放在 HBM 與 DDR5 先進製程，在 DDR3、DDR4 供給仍偏緊縮下，以 DDR3、DDR4 為主的利基市場短期也將逐漸回溫，相關業者南亞科、華邦電營運理論上將能受惠，下半年有機會加速回溫。然而中國合肥長鑫近期瘋狂大量採購設備，卻為利基型 DRAM 前景帶來不確定性。個人維持於上季應用材料季報解析中提出的觀點：
投資人應該關注 24H2 後合肥長鑫產出動向，是否開始對南亞科、華邦電等利基 DRAM 業者帶來競爭壓力。
記憶體封測廠：記憶體加速好轉，有利相關封裝業者 24 年業績持續向上
個人於 10/4 季報解析觀點：記憶體封測業者南茂 (8150)、力成 (6239) 業績也將隨著之受惠。回顧過去 2 季業績符合預期：
力成月營收自 11 月起已連續四個月較去年同期成長，自 10/4 以來股價漲幅 +90.2%，高於同期台股大盤漲幅 +22.8%
參考南茂法說會揭露數據，其記憶體封測營收於 23Q4 轉為正成長，股價自 10/4 以來漲幅 +34.5%，高於同期台股大盤漲幅 +22.8%
展望 2024 年，記憶體出貨量將穩定回溫，個人持續預期在記憶體封裝比重不少的南茂 (IMOS)、力成營運也將受惠。
