SK 海力士豪砸逾 40 億美元啟動美國首座 HBM 基地動工 2029 年下半年量產新一代 HBM
Celine
布局 AI 記憶體核心產能 印第安納廠串聯韓美供應鏈
SK 海力士宣布，已於美國當地時間 27 日在印第安納州西拉斐特（West Lafayette）舉行 AI 記憶體先進封裝生產基地奠基儀式，正式啟動美國首座 HBM（高頻寬記憶體）生產據點建設計畫，總投資金額將逾 40 億美元。
奠基儀式吸引印第安納州州長邁克・布勞恩（Mike Braun）、美國參議員 Todd Young，以及普渡大學校長 Mitch Daniels 等政學界代表出席。SK 集團與 SK 海力士高層也親自參與，包括 SK 集團美洲主管俞柾準、SK 副會長李亨熙及 SK 海力士執行長郭魯正等。
2028 年底完成無塵室 2029 年下半年啟動 HBM 量產
SK 海力士表示，印第安納廠總投資金額將超過 40 億美元，預計在 2028 年 10 月完成無塵室建設，並於 2029 年下半年開始量產新一代 HBM 產品。隨著產能逐步擴大，該基地未來預計將創造超過 1000 個工作機會，成為美國重要的 HBM 生產基地。
更重要的是，印第安納廠將成為 SK 海力士在美國建立的首座 HBM 生產據點，並採取韓美兩地分工模式。
未來由韓國生產的先進晶圓將運送至美國印第安納州，再於當地完成先進封裝與測試，最終以「美國製造」HBM 產品形式直接供應美國客戶。
這項布局也顯示，在 AI 伺服器、高效能運算（HPC）需求快速成長下，HBM 已成為 AI 晶片供應鏈的戰略性零組件，SK 海力士正積極將先進記憶體產能進一步靠近美國市場。
同步打造先進封裝 Testbed 加速下一代 HBM 技術開發
除了量產基地，SK 海力士也將在印第安納廠同步建立先進封裝研發測試平台（Testbed）。
公司規劃與客戶、大學及商業合作夥伴共同進行下一代先進封裝技術研發，並透過當地測試平台加速原型產品試製與性能驗證。
SK 海力士指出，先進封裝可透過多顆晶片的整合、綁定或垂直堆疊，突破傳統晶片微縮所面臨的技術限制，進一步提升整體運算效能。對於需要大量 HBM 搭配 GPU 運算的 AI 基礎建設而言，先進封裝的重要性正快速提高。
逾百家供應商洽談進駐 估創造 7000 個直接與間接職缺
SK 海力士同時積極建立當地供應鏈，目前已有超過 100 家材料、零組件及設備供應商洽談進駐西拉斐特。
公司預期，隨著印第安納廠建設與後續營運展開，將與美國當地企業共同創造約 7000 個直接及間接就業機會，進一步帶動當地 AI 與半導體產業聚落形成。
攜手普渡大學研發 擴大美國中西部人才布局
SK 海力士也在奠基儀式上與普渡大學簽署先進封裝研發合作備忘錄（MOU），雙方將針對包括 HBM 在內的下一代系統整合與先進封裝技術展開合作，同時強化研發人才培育。
SK 海力士進一步規劃擴大與美國中西部主要大學及研究機構的合作，透過產學合作建立人才培育與招募管道，強化公司在美國先進封裝與 AI 記憶體領域的研發能力。
AI 需求推升 HBM 戰略地位 SK 海力士加速全球產能布局
隨著 AI 加速器、GPU 及大型語言模型持續推升記憶體頻寬需求，HBM 已成為 AI 伺服器最關鍵的記憶體產品之一。SK 海力士此次在美國投入逾 40 億美元興建 HBM 生產及先進封裝基地，不僅是擴充產能，更是進一步深化「韓國晶圓在美國封裝測試、服務美國客戶」的在地化供應模式。
對台灣供應鏈而言，HBM 擴產也將持續牽動包括先進封裝、載板、設備、材料及測試等相關產業的需求變化。
