三星 1d DRAM 良率提升超預期 9 月完成開發、明年底拚首批量產
Celine
三星電子（Samsung Electronics，005930.KS）先進 DRAM 製程布局傳出新進展。韓媒報導，三星目前正加速推進 1d DRAM 開發，儘管距離正式商用仍有一段時間，但產品良率提升速度已超出原先預期，高溫環境下的熱測試良率已達到目標水準，現階段則聚焦於改善低溫環境下的冷測試表現。
9 月完成開發 明年底有望首批量產
據了解，三星已將 1d DRAM 開發完成時間訂在今年 9 月，並預計於 12 月將研發成果移交量產線，若進度順利，最快有望在 2027 年底實現首批量產。
目前三星尚未公布具體良率數據，但業界評估，1d DRAM 在熱測試環節的良率已達到預期目標，顯示先進製程的開發進度相當順利。
不過，知情人士指出，三星若依照目前的製程開發方式進行，考量成本與獲利能力，仍難以直接支撐大規模量產。因此，公司正同步簡化量產線上的製造步驟，以提升生產效率與成本競爭力。
雖然此舉可能使整體開發速度稍微放緩，但有助於提高產品完整度，並進一步改善效能、良率與成本結構。
HBM5E 率先導入 1d DRAM 先進製程布局加速
由於 1d DRAM 正式商用的時間相對較晚，市場預期對三星整體產品路線圖的影響有限。不過，三星已正式宣布，未來將把 1d DRAM 導入 HBM5E，產品預計約在 2030 年前後推出。
三星先前在 HBM5 導入 2 奈米製程，下一代 HBM5E 則進一步搭配 1d DRAM，代表公司正持續提高先進製程在高頻寬記憶體（HBM）產品中的應用比重。
1d DRAM 成下一代記憶體競爭關鍵
隨著 AI 伺服器與高效能運算需求持續成長，HBM 對 DRAM 容量、頻寬、功耗及製程技術的要求同步提升。三星若能順利完成 1d DRAM 開發，並改善量產的成本，將有助於強化其下一代 HBM 產品競爭力。
目前三星對具體研發進度仍表示不便確認，市場後續將持續關注 9 月開發完成、年底移交量產線，以及 2027 年底首批量產等關鍵時間點。
