三星量產 HBM3E 12 層,SK 海力士 Q3 跟進

發佈時間:2024/07/17

為什麼重要

HBM3E 12 層產品的成功量產和市場接受程度將決定未來 HBM 市場的領導者,影響記憶體技術的發展方向和相關產業的創新速度。

背景故事

#高寬頻記憶體、#矽穿孔技術、#輝達

HBM 技術透過矽穿孔(TSV)技術堆疊 DRAM 記憶體晶片,提供比傳統記憶體解決方案更高的速度和頻寬。

發生了什麼

#三星電子、#SK 海力士、#美光科技

接下來如何

#品質驗證、#市場競爭、#價格競爭

他們說什麼

提到的股票

概念股

參考資料

編輯整理:Maggie Wei