三星量產 HBM3E 12 層,SK 海力士 Q3 跟進
發佈時間:2024/07/17
為什麼重要
HBM3E 12 層產品的成功量產和市場接受程度將決定未來 HBM 市場的領導者,影響記憶體技術的發展方向和相關產業的創新速度。
背景故事
#高寬頻記憶體、#矽穿孔技術、#輝達
HBM 技術透過矽穿孔(TSV)技術堆疊 DRAM 記憶體晶片,提供比傳統記憶體解決方案更高的速度和頻寬。
發生了什麼
#三星電子、#SK 海力士、#美光科技
三星電子已開始量產業界容量最大的 HBM 產品「HBM3E 12 層」,並向部分客戶供應。
SK 海力士計劃在第三季度量產 HBM3E 12 層產品,提前於原計劃以搶佔市場。
美光科技完成了 HBM3E 12 層產品的量產準備,計劃明年向輝達等大型客戶供應。
接下來如何
#品質驗證、#市場競爭、#價格競爭
輝達的品質驗證結果將決定三星電子預先生產的 HBM3E 12 層產品是否會積壓。
SK 海力士和三星電子的競爭結果將影響 HBM 市場的領先地位。
HBM3E 12 層產品的供應情況和價格競爭將在下半年決定 HBM 市場的格局。
他們說什麼
業內人士指出,良品比率的提高是在 HBM 市場競爭中取勝的關鍵。
分析師預計,HBM3E 12 層產品的市場佔有情況將對整個 HBM 市場產生重要影響。
提到的股票
概念股
參考資料
編輯整理:Maggie Wei