三星量產 HBM3E 12 層，SK 海力士 Q3 跟進

為什麼重要

HBM3E 12 層產品的成功量產和市場接受程度將決定未來 HBM 市場的領導者，影響記憶體技術的發展方向和相關產業的創新速度。

背景故事

#高寬頻記憶體、#矽穿孔技術、#輝達

HBM 技術透過矽穿孔（TSV）技術堆疊 DRAM 記憶體晶片，提供比傳統記憶體解決方案更高的速度和頻寬。

發生了什麼

#三星電子、#SK 海力士、#美光科技

• 三星電子已開始量產業界容量最大的 HBM 產品「HBM3E 12 層」，並向部分客戶供應。

• SK 海力士計劃在第三季度量產 HBM3E 12 層產品，提前於原計劃以搶佔市場。

• 美光科技完成了 HBM3E 12 層產品的量產準備，計劃明年向輝達等大型客戶供應。

接下來如何

#品質驗證、#市場競爭、#價格競爭

• 輝達的品質驗證結果將決定三星電子預先生產的 HBM3E 12 層產品是否會積壓。

• SK 海力士和三星電子的競爭結果將影響 HBM 市場的領先地位。

• HBM3E 12 層產品的供應情況和價格競爭將在下半年決定 HBM 市場的格局。

他們說什麼

• 業內人士指出，良品比率的提高是在 HBM 市場競爭中取勝的關鍵。

• 分析師預計，HBM3E 12 層產品的市場佔有情況將對整個 HBM 市場產生重要影響。

提到的股票

• MU 美光科技

• NVDA 輝達

概念股

• DRAM

• NAND Flash

• 記憶體

• 固態硬碟

• HPC

參考資料

• HBM3E 12层产品成AI半导体市场关键