SanDisk（閃迪）推動高帶寬閃存 HBF 發展，成立技術顧問委員會
發佈時間：2025/07/28
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Celine
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全球記憶體裝置大廠 SanDisk（閃迪）近日宣布，已為其提出的 HBF（高帶寬閃存，High Bandwidth Flash）架構正式成立技術顧問委員會。該委員會由 SanDisk 內部及外部的產業專家與高階技術人才組成，將專注於推動 HBF 技術的落地與生態建立。
結合 NAND 與 HBM 優勢 HBF 專為 AI 推理與模型儲存打造
HBF 是 SanDisk 今年初提出的一種新型儲存架構，專為大規模 AI 模型設計。該技術結合 3D NAND 與高帶寬記憶體（HBM）特性，意圖成為高效能 AI 推論與模型儲存的最佳解決方案。SanDisk 亦已公開其三代 HBF 技術開發藍圖，顯示其對此技術的長期投入與承諾。
根據 SanDisk 說明，HBF 採用 TSV（硅通孔）技術，將 16 個 3D NAND BiCS8 晶片與一層邏輯晶片垂直堆疊，實現高效率並行存取架構。每個 HBF 堆疊的容量預期將比現有 HBM 解決方案高出 8 至 16 倍。
TSV 堆疊 16 層 BiCS8 NAND 單堆疊容量贏 HBM 大型 AI 模型可直接載入 GPU
HBF 的容量規模使其可望為 GPU 系統提供多達 4TB 的 VRAM，支援如 GPT-4 等超大型語言模型直接儲存在硬體上，進一步提升 AI 訓練與推理的速度與效能。此特性也讓 HBF 成為未來 AI 儲存的關鍵方案。
HBF 採用創新儲存陣列架構，打破傳統 NAND 的多平面限制，實現可獨立訪問的子陣列設計，顯著提高存取頻寬與吞吐量，對應 AI 應用的高資料流需求。
適合讀取密集型 AI 推理任務 延遲高於 DRAM
雖然 HBF 的延遲高於 DRAM，因此不適合延遲敏感型應用，但其高容量與高吞吐的特性非常適用於以大量讀取為主的 AI 推理任務。SanDisk 目前尚未公布具體的 HBF 頻寬參數。
