三星攜 HBM 改進樣品赴美國造訪輝達（NVIDIA）

為什麼重要

• 由此訊息可發現，三星電子相當積極回應輝達（NVIDIA）需求，改善 1b D 級技術，對半導體及高效能運算市場的競爭格局將產生直接影響。

• SK 海力士及美光（Micron）也在此領域與三星電子競爭，三星的技術突破可能改變其市場地位。

背景故事

• 三星在過去一直專注於 1b 工藝的 HBM 穩定量產，但未能完全解決產量和發熱問題。

• SK 海力士目前正在向輝達供應應用 1b D 級的 HBM3E 12 層產品，美光也計劃很快開始量產供應給 NVIDIA 的產品。

發生了什麼

• 三星電子的半導體業務負責人、副會長全英賢上週親自攜帶改進後的 1b D 級樣品赴美造訪輝達。

• 此次訪問是三星響應輝達對 1b D 級設計改進要求後的一次重要會面。

• 三星於上月的 2024 年第四季業績發布會議上宣佈，計劃從今年第一季開始向部分客戶供應改進後的 HBM3E 產品。

接下來如何

• 三星預計從第二季度開始，改進後的產品供應量將顯著增加。

• 此次技術改進和高層會談，可能會加強三星與輝達的合作關係，對三星在高效能記憶體市場的地位產生積極影響。

他們說什麼

• 輝達創辦人黃仁勳在上月的 2025 年 CES 大展上提到，三星的 HBM 設計需要從頭開始，強調了對設計改進的需求。

• 三星電子一位高層表示，無法確認管理層出差相關事宜，顯見公司對此次訪問的敏感性和重要性。

提到的股票

• MU 美光科技

• NVDA 輝達

概念股

• GPU

• HBM

參考資料

• 전영현 부회장, 1b D램 개선 샘플 들고 직접 엔비디아 갔다