HBM4 升級 16 層,SK 海力士推免焊劑鍵合技術
發佈時間:2024/07/17
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為什麼重要
SK 海力士將免助焊劑鍵合工藝應用於 HBM4 的研發,預示著半導體行業將迎來更高效能的記憶體技術,直接影響高效能運算和 AI 資料中心的發展速度。
發生了什麼
#免助焊劑鍵合、#HBM4 16 層、#混合键合
SK 海力士正在考慮將免助焊劑鍵合工藝應用於 HBM4,目前正在研發層面進行商業可行性審查。
HBM4 的堆疊層數預計將增加到最大 16 層,相較於目前的 HBM3E 12 層,顯示出技術進步。
Genesem 向 SK 海力士供應了 2 種混合鍵合工藝用 HBM 核心裝置,預計 SK 海力士將於 2026 年將 HBM 生產工藝轉換為混合鍵合方式。
背景故事
#三星 HBM3E、#SK 海力士 HBM3E、#SK 集團 AI 投資
SK 海力士和美光科技也在下半年集中精力供應 HBM3E 12 層產品給英偉達,並完成了量產準備。
SK 海力士對美國 AI 資料中心綜合解決方案領導者 SGH 進行了大規模投資,顯示出 SK 集團在 AI 和半導體領域的積極佈局。
接下來如何
#性能提升、#技術標準影響、#市場競爭格局
SK 海力士的免焊劑鍵合技術和混合鍵合生產工藝的成功轉換,預計將進一步提升 HBM 產品的效能和生產效率。
業內預計,無焊劑鍵合技術的引入將縮小堆疊式 DRAM 晶片之間的間隙,可能對半導體行業的技術標準產生影響。
他們說什麼
SGH 的 CEO Mark Adams,表示公司致力於提供領先的 AI 資料中心綜合解決方案,與 SK 텔레콤的合作將進一步加強其市場地位。
SK 海力士的 CEO 郭鲁正,強調 SGH 的投資是公司在 AI 領域中最大的單筆投資,顯示出 SKT 對於 AI 技術發展的重視和期望。
概念股
參考資料
- SK海力士考虑引入无助焊剂键合机生产HBM4
- HBM3E 12层产品成AI半导体市场关键
- 제너셈, 차세대 하이브리드본딩용 HBM 장비 SK하이닉스에 공급
- SKT, 미 AIDC 기업 'SGH'에 2800억 투자
編輯整理:Maggie Wei