HBM4 升級 16 層，SK 海力士推免焊劑鍵合技術

為什麼重要

SK 海力士將免助焊劑鍵合工藝應用於 HBM4 的研發，預示著半導體行業將迎來更高效能的記憶體技術，直接影響高效能運算和 AI 資料中心的發展速度。

發生了什麼

#免助焊劑鍵合、#HBM4 16 層、#混合键合

• SK 海力士正在考慮將免助焊劑鍵合工藝應用於 HBM4，目前正在研發層面進行商業可行性審查。

• HBM4 的堆疊層數預計將增加到最大 16 層，相較於目前的 HBM3E 12 層，顯示出技術進步。

• Genesem 向 SK 海力士供應了 2 種混合鍵合工藝用 HBM 核心裝置，預計 SK 海力士將於 2026 年將 HBM 生產工藝轉換為混合鍵合方式。

背景故事

#三星 HBM3E、#SK 海力士 HBM3E、#SK 集團 AI 投資

• SK 海力士和美光科技也在下半年集中精力供應 HBM3E 12 層產品給英偉達，並完成了量產準備。

• SK 海力士對美國 AI 資料中心綜合解決方案領導者 SGH 進行了大規模投資，顯示出 SK 集團在 AI 和半導體領域的積極佈局。

接下來如何

#性能提升、#技術標準影響、#市場競爭格局

• SK 海力士的免焊劑鍵合技術和混合鍵合生產工藝的成功轉換，預計將進一步提升 HBM 產品的效能和生產效率。

• 業內預計，無焊劑鍵合技術的引入將縮小堆疊式 DRAM 晶片之間的間隙，可能對半導體行業的技術標準產生影響。

他們說什麼

• SGH 的 CEO Mark Adams，表示公司致力於提供領先的 AI 資料中心綜合解決方案，與 SK 텔레콤的合作將進一步加強其市場地位。

• SK 海力士的 CEO 郭鲁正，強調 SGH 的投資是公司在 AI 領域中最大的單筆投資，顯示出 SKT 對於 AI 技術發展的重視和期望。

概念股

• DRAM

• 記憶體

• 資料中心

• HBM

參考資料

• SK海力士考虑引入无助焊剂键合机生产HBM4
• HBM3E 12层产品成AI半导体市场关键
• 제너셈, 차세대 하이브리드본딩용 HBM 장비 SK하이닉스에 공급
• SKT, 미 AIDC 기업 'SGH'에 2800억 투자