全球記憶體產業邁向 DDR6 時代 將率先攻占 AI 與伺服器市場
全球記憶體大廠正加速推進新一代 DRAM 標準「DDR6」的市場化進程。作為突破 DDR5 物理極限的升級方案，DDR6 將為高頻寬、高運算需求提供全新記憶體平台，預計最快 2026 年完成平台驗證，2027 年率先應用於伺服器領域。
三星、SK 海力士、美光已完成原型開發 與英特爾、超微、輝達共同驗證平台
業界消息指出，三星電子、SK 海力士與美光已完成 DDR6 的初步原型設計，現正與英特爾（Intel）、超微（AMD）、輝達（NVIDIA）等主要 CPU/GPU 晶片商展開平台驗證合作。目前 DDR6 的目標傳輸速率為 8800MT/s，未來計畫進一步拉升至 17600MT/s，是目前 DDR5 最高速率（約 8000MT/s）的兩倍以上。
與 DDR5 的 2×32 位（共 64 位）通道架構不同，DDR6 創新採用 4×24 位（共 96 位）設計，通過增加通道數同時縮減單一通道的位寬，有效提升信號完整性與穩定性。然而，這也對電路精度與製程整合提出更高挑戰。
CAMM2 封裝浮上檯面 有望取代 DIMM 成為筆電與伺服器主流規格
隨著高速傳輸需求提升，傳統 DIMM 模組面臨封裝限制，業界正加速轉向新型 CAMM2（Compression Attached Memory Module）封裝技術。該技術採用薄型寬面設計，可支援更多通道與更高頻寬，特別適用於高效能筆電與資料中心伺服器領域。
依照目前規劃，DDR6 將首先在伺服器與高效能運算（HPC）市場落地，後續才逐步導入高階筆記型電腦與消費級裝置。分析人士認為，隨著 AI 模型規模與資料處理需求急速膨脹， DDR6 的高頻寬優勢將迅速受到雲端服務業者與 AI 研究機構青睞，加速推廣進程。
AI 與 HPC 需求激增將使 DDR6 加速普及 大客戶將鎖定資料中心與 AI 機構
由於 DDR6 導入尖端封裝與高速設計，初期成本預計將與 2021 年 DDR5 初上市時相仿。預期首波導入客戶將集中於對極致效能有剛性需求的超大型資料中心、AI 訓練平台及科研單位。
