鎧俠推出 OCTRAM 技術,顯著降低 DRAM 功耗
發佈時間:2024/12/27
為什麼重要
OCTRAM 技術將直接提升人工智慧、通訊系統及物聯網產品的能效,並推動儲存技術向更高密度和效能邁進。
背景故事
#DRAM、#儲存效率、#技術開發
高效的易失性儲存 DRAM 記憶體是從伺服器到個人電腦,再到帶獨立快取的固態硬碟中不可或缺的重要加速方案之一。
鎧俠一直致力於開發新技術以降低 DRAM 的功耗,提高儲存裝置的效率和效能。
發生了什麼
#OCTRAM、#氧化物半導體、#低功耗
鎧俠宣佈開發出名為 OCTRAM 的新型 4F² DRAM 技術,採用氧化物半導體電晶體,顯著降低 DRAM 功耗。
OCTRAM 技術使用 InGaZnO(銦鎵鋅氧化物)電晶體,具有高導通電流和超低漏電流的特性,大幅減少漏電率。
該技術於 2024 年 12 月 9 日在 IEEE 國際電子元件會議(IEDM)上首次發布,是由南亞科技和鎧俠聯合開發的。
接下來如何
#人工智慧、#記憶體級儲存、#3D NAND FLASH
OCTRAM 技術預計將降低人工智慧、後 5G 通訊系統和物聯網產品等多種應用的功耗。
該技術也適用於記憶體級儲存(SCM)技術和高密度、高效能的新型 3D NAND FLASH,預計將推動儲存技術的進步和應用領域的擴充套件。
他們說什麼
「OCTRAM 技術的開發標誌著我們在降低 DRAM 功耗方面邁出了重要一步,這將為各種高效能運算應用帶來革命性的改進。」- 鎧俠技術負責人
「透過與鎧俠的合作,我們共同推動了儲存技術的邊界,OCTRAM 技術的成功開發預示著未來儲存解決方案的新篇章。」- 南亞科技研發部門負責人。
提到的股票
概念股
參考資料
編輯整理:黃沛琪