鎧俠（Kioxia）及 Sandisk 推出新一代 3D 快存記憶體，NAND 介面速度提升 33％
為什麼重要
鎧俠（Kioxia）及 Sandisk 的新技術將直接提升記憶體裝置的速度與效能，帶動電腦、智慧型手機等產品效能。
此技術的一大進步，代表記憶體解決方案成本降低、效能提高，對消費電子和資料中心市場將有重大影響。
背景故事
兩家公司透過不斷研發，已成功推出多代 3D 快閃記憶體產品，每一代產品都在速度、功耗和成本方面都益發精進。
CBA 技術的引入，代表鎧俠與 Sandisk 在 NAND 快閃記憶體技術上又再度有重大突破。
發生了什麼
鎧俠、Sandisk 在 ISSCC 2025 上，展示了全新 3D 快閃記憶體技術和陣列綁定（CBA）技術，這些技術將進一步提升介面速度和效能。
新的 3D 快閃記憶體技術採用 Toggle DDR 6.0 介面標準和 SCA 協議，預計介面速度將達到 4.8Gb/s，比第 8 代產品提升 33％。
第 9 代 3D 快閃記憶體將採用 CBA 技術，結合新 CMOS 技術和現有儲存單元技術，旨在提供低成本、高效能、低功耗的產品。
接下來如何
第 10 代 3D 快閃記憶體技術將透過增加層數至 332 層，並最佳化平面佈局，預計位元密度將提升 59％。
鎧俠與 Sandisk 將繼續開發尖端的快閃記憶體技術，提供滿足客戶需求的客製解決方案。
鎧俠首席技術執行官柳茂知將在 CFMS｜MemoryS 2025 峰會上發表主題演講，進一步闡述這些技術細節及未來發展方向。
他們說什麼
鎧俠首席技術執行官柳茂知表示：「我們的目標是透過不斷的技術創新，為客戶提供更高效能、更低功耗的產品」、「未來的 AI 技術將產生大量數據，故提升功率效率成為關鍵。這項技術將進一步強化 SSD 與高效能運算的發展。」
Sandisk 相關負責人：「CBA 技術的成功應用，將使我們在市場上保持領先地位，滿足日益增長的資料儲存需求。」
