鎧俠推出第九代 3D 快閃記憶體，2025 財年啟動量產

【鉠俠快訊】日本記憶體大廠鉠俠（Kioxia）宣布，已開始出貨採用第九代 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體技術的 512Gb TLC 樣品，並計畫於 2025 財年（2025 年 4 月至 2026 年 3 月）正式量產。

此款新世代快閃記憶體鎖定中低容量、但對效能與能效有高度要求的應用場景，預計將整合至企業級 SSD 中，特別針對 AI 系統所需的 GPU 資料處理效率進行優化。

「雙軸策略」佈局未來記憶體市場

鉠俠持續推動「雙軌戰略」，以兼顧高階與大眾市場需求，提升產品競爭力與投資效率。兩大產品線包括：

• 第九代 BiCS FLASH™：採用 CBA（CMOS Direct Bonded to Array）技術，結合現有儲存單元與最新 CMOS 製程，以降低生產成本同時提升效能。

• 第十代 BiCS FLASH™：聚焦於提高儲存層數，滿足未來大容量與高性能應用需求。

效能大幅提升，支援 DDR6.0 傳輸

此次推出的第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC，是基於第五代技術改良並導入先進 CMOS 製程的 120 層堆疊架構。與現有同容量產品相比，展現以下關鍵升級：

• 寫入效能提升 61％

• 讀取效能提升 12％

• 能效提升：寫入操作節能 36％、讀取操作節能 27％

• 傳輸速度支援 Toggle DDR6.0，NAND 介面速率達 3.6Gb/s

• 儲存密度提升 8％，歸功於平面微縮技術

此外，鉠俠也表示，該 512Gb TLC 晶片在實驗環境下已成功驗證可實現 4.8Gb/s 的 NAND 傳輸速率。

隨著 AI、邊緣運算與資料中心需求日益增長，高效能與高能效快閃記憶體將成為關鍵零組件。鉠俠透過本次產品升級與雙軸布局，展現其在全球 NAND 市場中重拾競爭力的企圖。

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參考資料

• 铠侠第九代BiCS FLASH 512Gb TLC开始送样