Intel 開創半導體新紀元，引領技術革新
發佈時間：2024/04/19
為什麼重要
Intel 採用 High-NA EUV 技術和相關新型態製程技術，將直接提升半導體製程的精細度和效率。此舉將加速半導體裝置的微縮進程，對於競爭激烈的晶片市場，特別是在高性能計算和儲存解決方案領域，意味著 Intel 可能會獲得重要的競爭優勢。
背景故事
High-NA EUV 技術是由 ASML 開發的下一代光刻技術，相較於現有的 EUV 技術，其數值孔徑（NA）從 0.33 提升至 0.55，允許更精細的圖案製造。
DSA（Directed Self-Assembly）技術和金屬氧化物抗蝕劑（MOR）是半導體製程中的新興技術，旨在解決極紫外光（EUV）製程中的挑戰，如隨機缺陷（stochastic errors）和圖案粗糙度（LER）。
發生了什麼
Intel 計劃於 2025 年開始在其位於俄勒岡州的研發中心使用 ASML 的 High-NA EUV 裝置，首次應用於 14A 製程技術的開發。
雖 14A 製程技術的量產時程尚未明確公布，但預計將於 2026 年開始。
為了實現 High-NA EUV 製程的商業化，Intel 正在探索包括 DSA 和圖案塑形（Pattern Shaping）在內的多種新型圖案技術。
接下來如何
Intel 的 14A 製程技術預計將進一步提升其半導體製造的精細度和效率，有望強化其在全球半導體市場的競爭地位。
High-NA EUV 技術的成功應用將為半導體行業帶來更先進的製程技術，可能促使其他半導體製造商也跟進採用。
DSA 和其他新型圖案技術的研究進展將對未來半導體製程技術的發展方向產生重要影響。
他們說什麼
Intel Fellow Mark Phillips 表示， High-NA EUV 技術和 DSA 的結合對於改善圖案粗糙度（LER）至關重要，並指出這項技術的研究正在進行中。
提到的股票
概念股
參考資料
編輯整理：黃沛琪
