美光與 Samsung 競相開發 HBM3E 產品,2024 年將見分曉
發佈時間:2024/03/04
為什麼重要
美光開始大量生產 HBM3E 5 代產品,並將在 2Q23 被使用在 Nvidia 的 H200 上,這將有助於 Micron 在 HBM 市場的競爭地位。
Samsung 開發了 HBM3E 12 層產品,並計劃在 1H24 開始生產,這將可能提升 Samsung 在 HBM 的是佔率,並可能影響其合作夥伴,如 AMD 或其他大型科技公司的產品策略。
背景故事
HBM 市場一直由 SK 海力士和 Samsung 主導,根據 TrendForce 的數據,兩家公司分別佔據了 HBM 市場的 46% 到 49%,而美光則佔有 4% 到 6%。
發生了什麼
美國半導體公司美光於 2 月 26 日宣布將開始大量生產 HBM3E 5 代產品,該產品為 8 層產品,容量為 24GB,並透過 1bnm D 系列進行生產。
美光表示,該產品將在 2Q23 搭載在 Nvidia 的 H200 上,並強調該產品的電力消耗比競爭對手少 30%。
美光也提到將在 4 月開始向客戶提供 12 層 HBM3E 產品的樣品。
接下來如何
隨著 HBM 產品的層數增加,市場對於應該使用 MUF 還是 NCF 的討論也在持續進行。
他們說什麼
Samsung 在 2 月 27 日宣布開發了 HBM3E 12 層產品,並計劃在 1H24 開始生產,其產品容量為 36GB,並透過 1anm D 系列進行生產。
Samsung 並未明確提及其 HBM3E 產品的客戶,但市場推測可能是 AMD 或其他大型科技公司,並計劃在其伺服器用 D 系列模組上採用 MUF 製程。
提到的股票
概念股
參考資料
編輯整理:黃沛琪