三星將 MUF 應用於下一代伺服器 DRAM，挑戰市場競爭力
為什麼重要
三星將模塑底部填充（MUF）應用於下一代伺服器 DRAM 模組，這將提升其產品的吞吐量，此舉將提升三星在伺服器 DRAM 市場的競爭力，並可能對其他競爭對手如美光等公司造成壓力。
三星電子與三星 SDI 合作開發 MUF 材料，這將有助於三星在技術上保持領先地位，並可能對相關的半導體設備製造商產生影響。此外，這也將對 MUF 材料的供應商如 Namix 和漢高等公司產生影響。
背景故事
三星自 2023 年開始考慮將模塑底部填充（MUF）材料應用於其產品中，並在一次會議上由高層下令引入 MUF。
目前，三星正在通過熱壓（TC）- 非導電粘合膜（NCF）工藝批量生產需要硅通孔電極（TSV）工藝的 3D 堆疊存儲器（3DS）RDIMM。
SK 海力士因將 MUF 材料應用於 HBM 量產而備受關注，該材料的開發是與 Namix 共同進行的。
發生了什麼
三星正在考慮將 MUF 應用於下一代伺服器 DRAM 模組，並將採用大規模回流（MR）-MUF 工藝。
最近的測試結果發現，當 MUF 工藝應用於 3DS 時，吞吐量顯著提高。
三星已向國內外設備公司訂購了 MUF 工藝相關設備。
接下來如何
業界預計三星將與三星 SDI 合作開發 MUF 材料，因為 Namix 由於與 SK 海力士的合同，很難向三星電子供應 MUF 材料。
預計三星將堅持採用 TC-NCF 方法進行 HBM 量產，並已通過先進的 TC-NCF 技術實現了 12 層 HBM3E。
他們說什麼
一位熟悉三星事務的官員表示，三星高層在去年的一次會議上下令引入 MUF。
一位業內人士表示，三星和美光堅持採用 TC-NCF 方法大規模生產 HBM，這種方法在防止翹曲方面具有優勢。
一位設備行業官員表示，三星已經投入了天文數字來建設 TC-NCF 生產線，並認為在這種情況下，不可能將 HBM 層壓改為 MR-MUF 方法。
