三星電子計劃停止 MLC NAND 業務，將於 6 月前接受最後訂單
為什麼重要
三星電子擴大 1c DRAM 生產線，並推遲良率目標，將直接影響記憶體市場供應與技術發展速度，特別是對於高頻寬記憶體產品如 HBM4 的供應能力。
三星電子終止 MLC NAND 生產，並調整價格，將迫使相關產業鏈尋找新的供應商，同時加速市場轉向更高容量、更高密度的 TLC 和 QLC NAND，影響記憶體解決方案的成本和效能。
背景故事
#1c DRAM、#良率、#NAND
三星電子於去年底成功製造出 1c DRAM 良品晶粒，但整體良率未達量產所需的 60％～70％。
三星電子原計劃於 2024 年底將 1c DRAM 良率提升至 70％，現計劃推遲至 2025 年 6 月。
全球 NAND 快閃記憶體市場正轉向更高容量、更高密度的 TLC 和 QLC NAND，其中 TLC NAND 去年市場佔比達到 62％。
發生了什麼
#MLC NAND 停產
三星電子計劃在韓國華城工廠建設 1c DRAM（第六代 10 奈米級）生產線，預計投資最早於今年年底完成。
三星電子將停止接受 MLC NAND 快閃記憶體的最後訂單，並計劃停止 MLC NAND 的生產；公司將於 6 月前接受最後訂單。
LG Display 正在尋找新的 MLC NAND 供應商，以替代三星電子即將停產的 MLC NAND。
接下來如何
#HBM4
三星電子計劃使用 1c DRAM 作為 HBM4 核心晶片，並與多家客戶合作開發基於 HBM4 和增強型 HBM4E 的訂製版本。
HBM4 的開發進展如期，計劃於今年下半年實現量產，並預計於 2026 年開始商業供應。
三星電子停止生產 MLC NAND，預期將提高記憶體產品線的效率，並對市場供應鏈造成影響。
他們說什麼
三星電子表示，停止生產 MLC NAND 是為了提高產品和生產效率，因 MLC NAND 的壽命雖長，但價格競爭力較低，且應用場景有限。
市調公司 Mordor Intelligence 分析，全球 NAND 快閃記憶體市場正重新聚焦於更高容量、更高密度的 TLC 和 QLC NAND，顯示產業趨勢的轉變。
