三星電子推遲 1c DRAM 良率目標至 2025 年
為什麼重要
三星電子加強 1c DRAM 和 HBM4 產品線，將直接影響半導體市場競爭格局，提升其在高效能記憶體領域的市佔率。
三星電子退出 MLC NAND 市場，將使全球 NAND 快閃記憶體記憶體供應鏈重組，影響相關產品的供應和價格。
背景故事
#1c DRAM、#良率、#NAND
三星電子先前在平澤第四園區（P4）建設了第一條 1c DRAM 量產線，每月產能達 3 萬片。
三星電子原計劃在 2024 年底前將 1c DRAM 良率提升至 70％，但去年底良率未達標。
全球 NAND 快閃記憶體記憶體市場正逐步轉向更高容量、更高密度的 TLC 和 QLC NAND，其中 TLC 佔比達到 62％。
發生了什麼
三星電子計劃在韓國華城廠建設 1c DRAM（第六代 10 奈米級）生產線，預計今年年底完成投資。
三星電子將 1c DRAM 開發的良率里程碑時間從 2024 年底推遲至 2025 年 6 月。
三星電子計劃從 MLC NAND 事業中撤出，並計劃接受最後訂單至下個月底，已通知部分客戶關於 MLC NAND 價格上漲的計劃。
接下來如何
#HBM4、#MLC NAND
三星計劃將 1c DRAM 作為 HBM4 核心晶片，並與多家客戶合作開發基於 HBM4 和增強型 HBM4E 的訂製版，預計於 2026 年開始商業供應。
LG Display 正在尋找新的 MLC NAND 供應商，以用於其大型有機發光二極體（OLED）的 4GB eMMC；如今三星電子決定停產 MLC NAND，將只剩下鎧俠（Kioxia）一家供應商。
三星電子停止 MLC NAND 生產後，預計將專注於更高容量、更高密度的 TLC 和 QLC NAND 產品，以提高產品和生產效率。
他們說什麼
市場研究公司 Mordor Intelligence 表示，全球 NAND 快閃記憶體記憶體市場已重新編排，將以更高容量、更高密度的 TLC 和 QLC NAND 為核心。
業內人士評論，三星電子從 MLC NAND 事業撤出是提高生產效率的自然步驟，並指出 MLC NAND 在三星電子銷售中所佔比重不大。
