美光推無助焊劑鍵合技術，提升 HBM4 效能

為什麼重要

美光、SK 海力士以及三星電子等主要記憶體製造商的積極參與，顯示技術創新正在加速推動產品升級，並為投資者創造全新的機會。

背景故事

#HBM、#DRAM 堆疊、#鍵合技術

• 為了應對高頻寬記憶體（HBM）堆疊層數日益增多的需求，製造商正積極尋求新技術來縮小 DRAM 堆疊時的間距。

• 傳統的助焊劑鍵合技術雖然常見，但在 HBM 製造中容易造成間距過大，進而限制堆疊層數的提升。

• 業界正致力於開發「混合鍵合技術」。這項技術採用銅直接連接 DRAM 頂部和底部，並有望在未來的 HBM4E 產品中實現量產。

發生了什麼

#HBM4、#無助焊劑鍵合技術、#SK 海力士

• 美光在第六代 HBM（HBM4）中率先推動無助焊劑鍵合技術的應用，並已與合作夥伴展開測試，以加速新製程的成熟。

• SK 海力士與三星電子也密切關注無助焊劑鍵合技術的發展，顯示出業界對這項技術的高度期待。

• 無助焊劑鍵合技術被視為解決 DRAM 間距挑戰、提升 HBM 堆疊層數的關鍵突破，並將為未來的高效能運算帶來更大可能性。

• 混合鍵合技術預計最快於 2026 年在 HBM4E 產品中匯入量產。

他們說什麼

• 美光的技術專家指出：「引入無助焊劑鍵合技術，將大幅提升 HBM4 的製造效率與性能。」

• 業界分析師則表示：「隨著無助焊劑技術與混合鍵合技術的持續發展，我們正邁入 HBM 技術的新時代，這將對高效能運算以及人工智慧應用帶來深遠的影響。」

提到的股票

• MU 美光科技

概念股

• DRAM

• 記憶體

• HBM

參考資料

• 为最小化DRAM堆叠间距，HBM4考虑采用无助焊剂键合技术