DRAM 產業追蹤：長約壓抑短期合約價漲幅，無損 2026 下半年~2027 上半年供不應求
前言
DRAM 巨頭三星、SK 海力士、美光在近期公布了最新一季營運報告。今天我們就來檢視報告中釋出的相關訊息，了解以下產業後續展望：
先進製程 DRAM，相關公司：美光、海力士、三星
成熟製程 DRAM，相關公司：南亞科 (2408)、華邦電 (2344)
26Q2 回顧：AI 需求難滿足，報價上漲持續強勁
26Q2 DRAM 原廠業績成長持續加速，營收續創歷史新高：
三星 DRAM 營收估計約 83~84 兆韓圜， 約季成長 +61~64%
SK 海力士 DRAM 營收 57.9 兆韓圜，季成長 +41.2%
美光 DRAM 營收 313 億美元，季成長 +66.9%
南亞科 DRAM 營收季成長 +68.2%
華邦電 DRAM 營收季成長 +78%
先進製程：非 HBM DRAM 成長加速，HBM3E 受制合約漲幅有限
產能產出短期難以增加，AI 需求卻持續擴大下，DRAM 業者成長主因都來自於報價上漲：
三星 DRAM 位元出貨量季增 +11~13%，平均價格季增幅 +45%
SK 海力士 DRAM 位元出貨量季增 +7~9%，平均價格季增幅 +30~32%
美光 DRAM 位元出貨量季增 +1~3%，平均價格季增幅 +62~65%
報價漲幅持續強勁，顯示 DRAM 明顯供不應求，持續符合個人過去三季以來預期：
考量新增設備從採購到實際生產約需 3~4 季，且 DRAM 原廠目前產能利用率已滿載，因此 2026 上半年 Server DRAM、HBM 供不應求將加劇。
然而比較 DRAM 原廠業績季增幅度，SK 海力士表現卻明顯弱於同業，估計主因源自於：
25 下半年起供不應求蔓延至非 HBM DRAM，Server、mobile、PC 等傳統 DRAM，報價在低基期下上漲幅更勝 HBM，海力士營收中非 HBM DRAM 佔比較低，此部分受惠程度低於對手
HBM 雖同樣供不應求，但由於和大客戶採取長約模式，因此報價受制於合約無法迅速上調反應市況，價格漲幅反而明顯低於傳統 DRAM。海力士在 HBM3E 市占率目前明顯高於同業下，整體產品價格漲幅自然不如同業
SK 海力士在最新電話會議中也明確表示，短期價格上漲主要來自於傳統 DRAM，並暗示 HBM3E 拖累報價上漲潛力：
Song Hyeon-jong，SK 海力士總裁
我們根據客戶需求和一些中長期產品策略來管理 HBM 和傳統 DRAM 的銷售組合。 第二季度，一些高附加價值產品的出貨時間被推遲到下半年，產品組合的變化似乎影響了我們的綜合平均售價。
We manage the sales mix between HBM and conventional DRAM based on customer demand and some medium to long-term product strategy. In the second quarter, shipments of some high value add products were pushed back into the second half, and changes in the product portfolio appeared to have affected our blended ASP.
以上現象與說法再次吻合個人過去三季以來觀點：
2026 年非 HBM DRAM 成長更勝 HBM
成熟製程：受惠大廠退出供貨，報價上漲持續強勁
先進製程 DRAM 供不應求主因來自於需求增速快於供給，成熟製程 DRAM 供需緊俏則源自於供給下滑幅度快於需求。AI 需求急升下，三星、SK 海力士、美光加速將產能優先供應 Hyperscaler，並逐步退出 DDR4，導致成熟製程 DRAM 供給縮減，帶動報價也大幅上升：
南亞科 DRAM 位元出貨量與上季持平，平均價格季增幅約 +60%
華邦電 DRAM 位元出貨量季減 (-11)~(-13)%，平均價格季增幅約 +100%
成熟製程 DRAM 2026 上半年報價漲幅強勁，符合個人過去三季以來預期：
2026 上半年 DDR3/DDR4 報價漲幅、乃至於南亞科、華邦電業績有望強於個人先前預期。
也符合過去兩季以來觀點：
三星、SK 海力士、美光目前加速將產能優先供應 HBM、Server DRAM，減少成熟製程產出與停產 DDR4，進而帶動 DDR3/DDR4 等成熟製程 DRAM 短期供應自 2025 下半年加速緊缺，2026 上半年報價漲幅將持續大幅上漲
先進製程 DRAM ：長約壓抑短期價格漲幅，2027 上半年仍將受惠 HBM 新一輪合約價調漲
儘管 DRAM 仍明顯供不應求，但受限長約陸續上路限制漲幅，DRAM 後續報價將從上半年暴力上漲轉向穩健攀升。
長約犧牲短期報價漲幅，但降低長期跌價風險
考量 DRAM 為 AI 推理效能關鍵，Amazon、微軟、Google、Meta 等大型數據中心業者於上半年積極與 DRAM 業者簽訂大型長約，確保 2026~2030 年 DRAM 供貨穩定。
但相較於過往業界常見長約形式，本輪記憶體長約顯著不同：
過往長約多半為 1 年，本次長約罕見拉長至 5 年
過往長約客戶僅給予預估的大約採購量，且不強制 100% 採購量承諾；本次長約明確要求需承諾明確採購量
過往長約通常不設定價格上下限；本次長約明確要求設定 5 年採購價格下限
過往長約通常不要求客戶提供大額現金擔保；但本次長約明確要求客戶在取貨前需先支付高比重預付款、押金、資產抵押作為擔保
過往長約通常僅要求對已下訂訂單禁止取消與退貨 (NCNR)，但本次長約開始要求客戶不論有沒有拿貨都必須付錢 (Take-or-Pay)
以上使得本輪記憶體長約具備更強約束力，客戶毀約成本明顯高於過往長約形式。在約束力較過往長約更強之下，新的長約模式對於 DRAM 業者帶來以下好處：
降低衰退虧損風險：大多數業者長約都設有報價下限，可避免景氣轉差時價格暴跌導致虧損風險
過度擴產機率降低：由於有長達 5 年採購量能見度，DRAM 業者可根據明確需求謹慎擴產，避免過度擴產導致供過於求
降低擴產資金壓力：由於本次合約要求客戶事先支付高額押金或預付款，這相當於客戶補貼業者資金進行擴產，可降低 DRAM 業者擴產資金壓力
然而從過往來看，長約也會帶來對應壞處：
壓抑短期獲利成長空間：景氣大多頭時，定死的合約價格範圍，反而讓公司獲利彈性低於沒有長約的競爭者，海力士本季業績成長落後同業就是現成案例
供需失衡風險並未消失：本次長約雖然看降低 DRAM 長期供需失衡風險，但實質上只是將風險轉嫁給下游承擔。如果下游客戶過度投資導致市況劇烈下滑，下游客戶大幅虧損下將可能發生資金週轉不靈，DRAM 業者仍有配合客戶過度投資、但無法回收資金的潛在風險。
喪失與其他客戶合作機會成本：長約導致 DRAM 業者對特定客戶有強制供貨的義務，就算出現更有利可圖的客戶或市場機會，DRAM 業者由於無法隨意將供應轉向其他客戶與市場，將喪失獲利最佳化的機會。
考量 Amazon、微軟、Google、Meta 等大型數據中心業者為主要長約簽訂對象，其在 AI 基礎建設目前具備明顯主導優勢，且規模、資金體量也大於 DRAM 業者，降低了部分以上提及的長約潛在風險，唯獨壓抑短期報價上漲空間將不可避免。隨著多份長約將於 2026 下半年逐步上路，將使得 2026 下半年先進製程 DRAM 報價漲幅趨緩，難以重現上半年驚人漲勢。
長期合約壓抑短期報價漲幅，但仍有逐季上漲空間
由於長約簽訂價格上限將壓抑報價後續漲幅，部分市場觀點將長約視為負面因素。個人認為此解讀過於悲觀，原因之一在於 DRAM 報價僅是趨緩，但並非完全無法反應市況上漲：
參考各家業者對於長約資訊揭露，估計長約將佔 2026 下半年 DRAM 出貨量約 20~30%、佔 2027 年出貨量約 50%，這意味著至少 50% 以上 DRAM 供應不受長約價格上限限制，仍可受惠於供不應求下漲價趨勢。
參考美光長約模式，即便與客戶簽訂長約，但後續晶片性能升級 - 例如 HBM3E 轉向 HBM4、 DDR5 轉向 DDR6，DRAM 業者仍可適當漲價，不受長約價格上限限制。隨著 26 下半年起， HBM 產品世代將逐季由 HBM3E 轉向單價更高 HBM4，且 HBM 2027 年合約價在重新談判後將大幅上調，HBM 有望成為 2027 上半年報價續漲主要動能。
基於以上，個人預期 2026 下半年 DRAM 報價仍將有 +25~30% 漲幅，2027 上半年受惠大幅調漲後的 HBM 新合約價上路仍將穩定攀升。
無塵室空間不足阻礙短期擴產，26 下半年~27 上半年持續供不應求
參考過往歷史經驗，報價漲勢趨緩通常為需求轉弱的領先徵兆，2026 下半年起 DRAM 報價漲幅趨緩，是否代表產業可能步入高峰恐將反轉？個人認為，報價漲幅減緩更多是反應長約價格限制與上半年漲幅過猛，並非需求趨緩所導致，實際供不應求缺口並未縮小：
客戶持續下調 Server 配置 DRAM 容量，為短期需求強勁的明顯特徵。AI 帶動伺服器需求強勁下，為了降低 DRAM 不足導致無法出貨風險，下游開始下調平均每台伺服器搭載 DRAM 容量，這使得 2026 年 Server 出貨量增幅有望從年初預估 +11~13% 上調至 +17~19%。展望 2027 年，供應鏈近期傳出 NVIDIA 將下調明年新世代產品 DRAM 容量 - Rubin Ultra 原本預計搭配 HBM4E 12Hi，可能下調為 HBM4E 8Hi 與 HBM4 8Hi 混合配置；Vera CPU 搭配 DRAM 容量可能由 1536GB 砍半至 768GB，以上再度顯示 2027 年 AI Server 需求持續強勁，仍必須下調容量配置以應對 DRAM 供給嚴重不足。
無塵室不足導致 26 下半年~27 上半年產能增加有限。DRAM 原廠既有廠房空間不足，但無塵室擴產需要前置時間，估計新的無塵室空間需等至 2026 下半年~2027 年才能釋出；等到無塵室建制完成後，設備移機、安裝、試產校準估計又要再另外 2~3 季時間。根據以上推算，新產能量產時間點則將落在 2027 年中後，這使得 2026 下半年~2027 上半年供應釋出有限。
綜合以上，儘管 DRAM 報價將受制於長約價格上限，使得下半年漲幅可能不如個人先前預期，但無損於 DRAM 於 26 下半年~27 上半年供不應求態勢，個人持續維持過去兩季以來預期：
先進製程 DRAM 將供不應求狀態將持續至 2026 下半年，主要 DRAM 原廠 - 三星、SK 海力士、美光都將持續受惠。
成熟製程 DRAM：報價不受長約壓抑，26 下半年漲幅或更勝先進製程
在 AI 與 Server 需求持續高速吸納 DRAM 供給下，非 AI 應用供給缺口難以縮小，成熟製程 DRAM 於 2026 下半年~2027 上半年亦將持續供不應求，且 2026 下半年報價上漲動能有望更勝先進製程：
中國長鑫存儲產能雖如預期加速產出，但未明顯紓解中國消費性 DRAM 供不應求態勢，對成熟製程報價負面影響低於個人去年底時預期。主因在於中國本土 AI 與 Server 需求亦高速攀升，海業記憶體巨頭供給不足無法滿足中國需求下，長鑫存儲新開出產能正快速被中國本土 AI 與 Server 需求所吸納，導致對於非 AI 市場供給增加並不如預期顯著。
成熟製程 DRAM 業者雖也陸續和客戶簽訂長約，但合約性質偏向傳統長約，並未如先進製程 DRAM 長約設定採購價格上下限，在目前供不應求下反而有利價格漲幅不受限
基於以上，2026 下半年成熟製程 DRAM 報價漲幅雖然也將趨緩，但上漲幅度不受長約限制下將有望更勝先進製程 DRAM；但 2027 上半年未能參與 HBM 新一輪漲價動能下，報價增幅可能近一步趨緩。
相關產業鏈上公司後續展望
最後我們嘗試從以上觀點，推估相關產業鏈上公司後續營運表現
先進製程 DRAM：三星、海力士、美光成長性將趨於一致，2027 上半年受惠 HBM 報價上漲
HBM 報價受制於合約無法迅速上調反應市況下，過去幾季價格漲幅明顯不如傳統 DRAM 兇猛，這導致短期非 HBM DRAM 成長動能更勝 HBM。三星近一年在 HBM3E 世代市占率落後對手，反而因禍得福、更能受惠非 HBM DRAM 報價大漲，使得三星 DRAM 業務增幅在過去幾季明顯領先對手：
三星：25 下半年較上半年成長 +83~87%，26 上半年又較 25 下半年成長 +202%
美光：2025 下半年較上半年成長 +52.9%，26 上半年較 25 下半年成長 +153%
海力士：2025 下半年較上半年成長 +49.6%，26 上半年較 25 下半年成長 +124.7%
以上動態轉換，完全符合個人過去三季以來觀點：
估計三星受惠非 AI DRAM 報價上漲幅度將高於海力士、美光；配合其 HBM 2026 年市占率有望回升，個人預期三星 DRAM 業務 2025 下半年~2026 上半年成長力道有望追上甚至強於同業，重回市占率龍頭寶座。
然而展望後續，三星 DRAM 業績成長性將不再一枝獨秀，海力士成長亦有望不再落後同業：
隨著多份長約將於 26 下半年逐步上路，將使得後續非 HBM 的傳統 DRAM 報價漲幅與成長力道開始趨緩
隨著 26 下半年起 NVIDIA Rubin、AMD MI450 新世代平台開始出貨，HBM 產品世代將逐季由 HBM3E 轉向單價更高 HBM4；疊加 HBM 2027 年新一輪合約價在重新談判後將大幅上調，整體 HBM 漲價力道估計將於 26 下半年開始加速。
三星在 HBM4 良率已追上同業，公司明確預期 2026Q3 HBM4 銷售額將季增 +200% 以上，這顯示三星於 HBM4 世代市占率將明顯提升。個人預期 2027 年 DRAM 三巨頭在 HBM 市占率將與傳統 DRAM 市占率相近，海力士不再是一家獨大。
基於以上，HBM 與傳統 DRAM 後續報價漲幅將明顯拉近，而 DRAM 三巨頭在 HBM 市占率將與傳統 DRAM 市占率分布也將轉向相近，個人預期三星、海力士、美光後續 DRAM 業績成長性將逐漸趨於一致，2027 上半年同步受惠 HBM 升級與報價上漲。
成熟製程 DRAM：南亞科、華邦電 2026 年下半年穩定成長，增長幅度不遜於先進製程三巨頭
成熟製程 DRAM 上半年報價已大漲逾兩倍下，下半年漲幅也將自然開始趨緩。但由於南亞科、華邦電目前簽訂的長約並未制定價格上限，兩者傳統 DDR 產線下半年報價漲幅反而有望更勝三星、海力士、美光 。
基於以上，個人預期南亞科、華邦電 DRAM 業務 2026 年下半年持續穩定成長，且增長幅度並不遜於三星、海力士、美光；但 2027 上半年未能參與 HBM 新一輪漲價動能下，成長幅度可能隨報價近一步趨緩。
記憶體模組：報價帶動進貨成本同步上漲，留意毛利率於 2026年中後縮減
在報價持續大漲帶動下，記憶體模組業者 - 威剛、創見、宇瞻、宜鼎 2026 上半年獲利加速攀升，符合個人去年底以來預期：
在報價持續大漲帶動下，模組業者 - 威剛、創見、宇瞻、宜鼎營運成長有望持續至 2026Q1~Q2
然而考量：
本波記憶體報價自 2025Q2 起重新反彈，並將一路大漲至 2026Q2，意味著 2026 年中後模組廠的平均進貨成本將明顯墊高
歷經四個季度的出貨後，帳上低價庫存水位可能已大幅降低
在上半年報價大漲高基期下，下半年記憶體價格漲幅將開始趨緩
記憶體模組業者利潤主要來自低價進貨、高價出售的價差操作，以上因素將使得模組業者 2026 下半年毛利率面臨縮減風險。觀察模組業者最新 26Q2 毛利率走勢，增幅已開始明顯放緩，威剛甚至已轉為下滑！基於以上，個人維持去年底以來預期：
記憶體模組廠則需留意 2026Q2~年中後毛利率逐步下滑風險。
