NAND Flash 產業追蹤：2026 年機會與風險盤點

發佈時間：2025/12/19

前言

隨著時序進入年底，本篇文章我們將前瞻 NAND Flash 市場 2026 展望。內容涉及的產業與公司包含：

25 下半年回顧：Hyperscaler 需求爆發，企業級 SSD 如預期為成長主力

NAND Flash 主要業者如預期於 25Q2 落底反彈後，下半年營運持續回升：

不同於 25Q2 主要由消費性需求帶動的谷底回升，下半年 NAND 成長動能明顯轉由企業級 SSD 接棒：

下半年起企業級 SSD 成長明顯強於消費性 NAND 業務，估計原因在於：

隨著時序進入 Q4，Hyperscaler 對企業級 SSD 的強勁採購需求，不僅有效抵銷消費性需求轉弱，更使整體 NAND 市場短期快速轉向供不應求，導致 NAND 現貨報價自 9 月底以來已暴漲 +140% 以上，本季合約價有望 +30~40% 以上，帶動整體 NAND 季度產值將加速向上攀升。

綜合以上，下半年消費性 NAND 營收成長力道放緩，符合個人過去 2 季以來觀點：

考量 PC 等消費市場有過度透支下半年需求的跡象，25 下半年消費性 NAND 市場回升幅度將有限。

下半年企業級 SSD 需求雖較個人先前預期更為強勁，但也大致符合個人過去 2 季以來預期：

25 年下半年企業級 SSD 需求將優於 client SSD 與 mobile NAND。

AI 伺服器對企業級 SSD 的採購需求有望逐步回溫，進而抵銷部分下半年因需求提前拉貨所帶來的下滑風險。

2026 年 NAND 潛在機會盤點

展望 2026 年，在眾多有利機會持續發酵下，NAND 產值有望明顯攀升。

機會 1：NAND 供給持續緊縮，有利全年供需健康

2026 年 NAND 供需健康關鍵之一，在於供給端持續緊縮受限。自 2024 年以來，NAND 原廠擴產模式出現矛盾現象：一方面，業者積極轉進高階製程與堆疊層數提升，以提高單位晶圓 bits 產出，推動整體 bit shipment 上升；但另一方面，卻又同步縮減整體產線開工率，抵銷製程微縮所以帶來的產出提升。看似一面增產又一面減產的矛盾行為，主要反應 NAND 終端需求結構由消費性市場轉向數據中心市場後的必然結果：

但目前來看，NAND 透過製程升級增加 Server 市場產出步伐，卻較過往消費性市場擴產速度緩慢，個人認為主因在於當 3D NAND 堆疊來到 200、300 層以上，製程難度開始增加：

以上新的材料與製程設備引入，導致製程複雜度增加，短期 NAND 製程需較長時間調教良率，製程推進速度較以往放緩。

不僅製程難度上升壓抑產能釋放，美國商務部於 9/2 宣布撤銷三星與海力士 VEU (Validated End-User) 授權，亦可能近一步壓抑 26~27 年 NAND 產出。參考美國商務部公告，未來若兩者中國廠區欲採購美系半導體製造設備或軟體，需逐案申請，且批准僅限於維持現有產能，不得擴充或升級製程。

考量三星西安廠與海力士大連廠合計佔全球 NAND 產能高達 20%，高於海力士無錫廠佔全球 DRAM 產能約 10~11%，個人預計新禁令限制對 NAND 供給影響將更甚於 DRAM。隨著規定將於 2026 年起生效，三星與海力士中國廠未來難以擴產或導入先進製程，將進一步抑制 NAND 26~27 年產能釋放。

機會 2：AI 推理 RAG 架構加速數據儲存需求膨脹，有利企業級 SSD 需求成長

2026 年 NAND 成長機會之二，來自 AI 推理服務加速導入 RAG (Retrieval-Augmented Generation，檢索增強生成) 架構，使資料儲存需求出現顯著膨脹，進而推動企業級 SSD 需求成長。

RAG 是一種結合了檢索 (Retrieval) 和生成 (Generation) 兩種技術的 AI 架構。在用戶提問輸入大型語言模型 (LLM) 前，系統會先通過 RAG 資料庫比對找到相關外部權威資訊，再將用戶提問 + 外部權威資訊一併餵給 AI 模型生成答案。此作法可有效降低 AI 幻覺問題，提升 AI 回答問題精準性和正確性，因此已成為主流 AI 推理服務的標準架構。

RAG 能在兼顧速度與準確度下強化 AI 推理品質，核心仰賴兩項關鍵技術：

經由上面兩步驟，使得 AI 推理時搜尋參考文獻能又快又準，但換來的代價是儲存需求明顯增加：RAG 除了要儲存原始外部參考資料，還需額外儲存大量向量化資料，以及為了支援 ANNS 搜尋所建立的向量資料 “地圖” - 技術名稱為向量索引 (graph index)。個人推估，RAG 資料庫整體容量較原始外部參考資料多出至少 60% 以上：

由於向量資料與 ANNS 檢索索引會在推理過程被頻繁讀取，多數 AI 業者傾向將其部署於企業級 SSD，而非傳統 HDD，這進一步推升高效能 NAND 的需求。隨著 RAG 採用率快速攀升，AI 推理對企業級 SSD 的拉動效應已開始反映於 NAND 原廠展望中。根據 Sandisk 法說會觀點：

在 RAG 架構成為 AI 推理標準配置下，資料儲存需求不再僅與資料量線性成長，而是因向量化與索引結構而呈現「倍數膨脹」。這使得 企業級 SSD 成為 AI 推理時代最直接、最確定的 NAND 需求受惠者之一，亦為 2026 年 NAND 產值成長提供關鍵結構性動能。

機會 3：大容量 HDD 持續短缺，SSD 有望持續受惠替代需求

如前面所述，Hyperscaler 業者在規劃資料中心儲存時，已不僅追求總儲存容量擴張，更高度重視 單位機房空間內的儲存密度提升，以達成空間節省與能耗效率最佳化。因此 HDD 業者同樣選擇不擴充產線，而是透過製程升級推動單碟儲存容量上升。但 HDD 目前正在轉向十年一次的大型技術轉型 - 由 PMR (垂直磁化記錄) 轉向 HAMR (熱輔助磁記錄)，這導致短期製程推進速度緩慢：

以上因素使得 HDD 業者由傳統 PMR 轉向 HAMR 時，必須對產線作較大改造，這導致產能提升時間明顯拉長。參考希捷說法，考量 HAMR 與舊世代技術 PMR 差異甚大，生產線升級需要大幅改動，預計至 2026 下半年 HAMR 才能佔公司位元出貨量 50% 以上；威騰更為保守，預計要到 2027 年 HAMR 製程滲透率才會有較明顯上升。

HDD 業者不擴充產線，但 HAMR 製程推進速度緩慢，使得 2026 年大容量 HDD 高機率仍將短缺。在 HDD 供給受限期間，數據中心業者將被迫轉向採購大容量 QLC 企業級 SSD 作為替代，成為 NAND Flash 明年需求助力之一。

機會 4：NAND 替代 DRAM 需求浮現，高 IOPS SSD 潛在需求可關注

隨著 AI 推理對 DRAM 耗用快速加速，但在 DRAM 價格高昂、產出增加緩慢情況下，業界開始積極思考：是否能以單位容量成本更低的 NAND，承接部分原本由 DRAM 負責的工作負載。其中一個極具潛力方向，便是在前面提到的 RAG 架構中，以低延遲 / 高 IOPS SSD 取代部分 DRAM 使用。

RAG 架構為何會耗用大量 DRAM 呢？這是因為 RAG 目前採用 HNSW 這類近似最近鄰搜尋 (ANNS) 演算法，為了追求極低延遲，通常會將向量資料與檢索索引 (graph index) 常駐於 DRAM，以加速搜尋運算。隨著 AI 推理規模擴大，RAG 對 DRAM 需求呈現結構性膨脹：

在上述趨勢疊加下，向量資料群與 ANNS 檢索 index 對 DRAM 的占用快速膨脹，對 AI 業者帶來沉重的成本壓力。為了因應此問題，業者開始導入以 SSD 為基礎的 ANNS 演算法，其中代表性方案為 DiskANN。這類 ANNS 演算法核心思路為：在 DRAM 僅保留將原始向量大幅壓縮後的 PQ vector，將容量持續膨脹的檢索 index 改為儲存於 SSD，進而大幅降低 DRAM 用量。

但用 SSD 取代 DRAM 並非沒有代價。最大的挑戰在於讀取 ANNS 檢索 index 時的延遲將從 DRAM 的不到 0.1 μs，大幅上升至 TLC SSD 的 100 μs。延遲放大兩到三個數量級，將直接拉長推理等待時間，且此問題在未來可能進一步惡化：

為了在 “降低 DRAM 成本” 與 “維持可接受推理延遲” 兩者之間取得平衡，低延遲 / 高 IOPS 的 SSD 需求自然因應而生。鎧俠與 NVIDIA 已合作展開高 IOPS SSD 開發，目前已知的改良方向為：

延遲有望因此降至 5~10μs 僅為傳統 SSD 的 1/20~1/10，個人預期將主要用於儲存 ANNS 檢索 graph index，使得 RAG 架構能在降低 DRAM 成本、改善 TLC SSD 延遲之間取得更好的平衡。值得注意的是，在相同容量下 SLC 所需耗用 NAND wafer 量為 TLC 的 3 倍，這意味著：導入低延遲 / 高 IOPS SSD，將比傳統 SSD 顯著消耗更多 NAND 供給，這對 NAND 產業供需將是潛在正面因素。NVIDIA 目前已和鎧俠與海力士合作開發高 IOPS SSD，其中鎧俠高 IOPS SSD 將率先於 2026 下半年推出，高 IOPS SSD 對 NAND 供給緊縮效益值得後續持續關注。

2026 年 NAND 潛在風險盤點

儘管明年 NAND 產業具備多項結構性利多機會，但仍有少數風險個人認為仍需留意。

風險 1：DRAM 短缺反向壓抑消費性 NAND 需求

隨著 Hyperscaler 於上季開始積極擴大對 DRAM 採購，三星、海力士、美光將產能優先供應雲端大客戶，明顯擠壓到手機、PC、家電等消費性 DRAM 供給量，導致消費性 DRAM 價格大漲且出現結構性短缺，這將壓抑手機、PC、消費性電子後續潛在需求：

考量 NAND 目前仍有約 7 成產值來自於手機、PC 等消費性市場，即便 Server 用企業級 SSD 需求快速成長，2026 年消費性應用佔 NAND 產值比重估計仍將接近 6 成。因此若 DRAM 短缺導致手機、PC 需求出現下修，消費性 NAND 需求將可能轉為衰退，進而抵銷部分 Server SSD 成長力道。

此外，儘管 Hyperscaler 們對於企業級 SSD 採購需求強勁，但考量本次採購需求來的又猛又急，對不同供應商的影響並不一致。對於企業級 SSD 市占率較高的業者，能即時承接訂單、放大營收成長；但部分在企業級 SSD 市占率較低的業者，例如：鎧俠、Sandisk，本次需求爆發可能是首度切入特定 Hyperscaler 採購鏈，其產品仍需通過特定 Hyperscaler 認證才能正式供貨，考量認證時間至少需 2 季以上，在此過渡期將面臨企業級 SSD 尚未能大量出貨，短期卻先受消費性 NAND 需求下滑之害，將使得其 NAND 營收短期成長幅度不如同業。

綜合而言，DRAM 短缺並非 NAND 產業趨勢反轉的訊號，但可能透過壓抑消費性終端需求與放大企業級 SSD 認證時程差異，對 2026 年 NAND 成長節奏與業者間表現造成干擾。

風險 2：留意 Hyperscaler 資本支出成長週期進入下半場

Hyperscaler 擴大對 AI 建設投資，為 NAND 2026 需求成長最大趨力，因此 Hyperscaler 資本支出成長能延續多久，將左右本次 NAND 景氣上升週期的續航力。回顧過去 16 年全球前四大 Hyperscaler - 亞馬遜、Google、微軟、Meta 資本支出走勢，可觀察到有約四年一循環的規律現象。若以最新一輪資本支出成長週期自 2024 年起算，隨著時序推進至 2026 年下半年至 2027 年，本輪投資循環將逐步邁入下半場，屆時資本支出成長斜率放緩機率可能增加。

歷史循環並非必然重演，AI 所帶來的創新動能亦可能使本輪投資週期拉長，然而在連續三年成長率高達 40~70% 的高速擴張下，即便 2027 年資本支出仍維持成長，其增速放緩的可能性並不低。一旦資本支出增速放緩，雖不代表 NAND 需求立即反轉，但可能意味著本輪 NAND 上升週期將邁入尾段，而非加速段。基於以上，個人認為 2026 年下半年可持續留意 Hyperscaler 資本支出成長是否出現降溫跡象。

相關產業鏈上公司後續展望

最後我們嘗試從以上觀點，推估相關產業鏈上公司未來營運走向。

NAND 原廠：三星、SK 海力士、美光 NAND 業務成長或將強於同業

在供給成長有限，但需求大幅擴張情況下，NAND 2026 年將持續處於供不應求狀態，主要原廠 - 三星、SK 海力士、美光、鎧俠、Sandisk 的 NAND 業務都有望明顯成長。

然而，考量 DRAM 短缺可能壓抑手機、PC 終端需求，進而連帶影響消費性 NAND 出貨，企業級 SSD 佔營收比重較高的 NAND 原廠將具備相對較佳的成長韌性。觀察五大 NAND 原廠於 2025 年前三季的企業級 SSD 表現如下：

可發現 Sandisk、鎧俠在企業級 SSD 佔營收比重較低、消費性 NAND 業務比較高，受 DRAM 短缺負面影響可能性估計也將高於對手。基於以上，個人預期 2026 年鎧俠、Sandisk NAND 業務雖將成長，但成長幅度可能落後於企業級 SSD 佔比較高的三星、SK 海力士與美光。

記憶體模組：報價帶動進貨成本同步上漲，留意毛利率於 2026Q2 後縮減

Hyperscaler 自 25Q3 起加速記憶體採購力道，有效抵銷消費性需求旺季不旺的不利影響，使得 25Q4~26Q1 記憶體報價有望維持 +25~30% 以上漲勢。在報價持續大漲帶動下，模組業者 - 威剛、創見、宇瞻、宜鼎營運成長有望持續至 2026Q1，優於個人先前對 2025 年底~2026 年初可能轉弱的保守預期。

然而考量記憶體模組業者本質偏向貿易業型態，利潤主要來自低價進貨、高價出售的價差操作，在記憶體報價持續上漲的過程中，進貨成本亦將同步墊高，將逐步壓縮其獲利空間，其獲利循環通常呈現以下三階段特徵：

以上現象在過去 14 年四次記憶體循環上升週期中反覆出現：

考量本波記憶體報價自 2025Q2 起重新反彈，並將一路大漲至 2026Q1，意味著 2026Q2 後模組廠的平均進貨成本將明顯墊高；但歷經四個季度的出貨後，帳上低價庫存水位可能已大幅降低，這使得模組業者毛利率可能面臨縮減風險，重演過往循環走勢。基於以上，個人更看好 2026 年記憶體原廠營運有望持續攀升，但記憶體模組廠則需留意 2026Q2 後毛利率逐步下滑風險。

半導體前段設備：NAND 資本支出將集中於製程升級，有利科林研發、應用材料、東京威力科創

DRAM 短缺可能壓抑消費性 NAND 需求下 ，2026 年 NAND 需求將更偏重數據中心儲存應用。然而如前述分析，數據中心業者為提升機房空間利用率與能耗效率，已不再僅追求總體儲存容量擴張，更重視單顆 SSD 的容量上升。因此，NAND Flash 原廠擴產重心正由過往產線規模擴充，轉向透過製程升級推動單位晶片容量提升，以滿足數據中心對高密度儲存的需求。

而單顆 SSD 容量提升仰賴 NAND 堆疊層數持續增加。當堆疊層數推進至 200~300 層以上時**，**製程必須引入新的材料與製程設備，將帶動更多高階蝕刻與沈積設備採購需求上升，使相關設備供應鏈於 2026 年將受惠此結構性動能。基於以上，個人維持近期觀點：

在 NAND 業者 2026 年資本支出將集中於製程升級下，個人預期蝕刻與沈積設備巨頭：科林研發、應用材料、東京威力科創將受惠。

HDD 產業：HAMR 製程升級導入仍需時間，2026 持續供不應求

如前所述，Hyperscaler 業者不只在意總儲存容量增加，更在意單位空間儲存容量提升，在此趨勢下，HDD 業者同樣選擇不擴充產線規模，而是透過製程升級推動單位面積 bit 容量提升，以因應數據中心對高容量儲存的需求。

但 HDD 產業目前正值十年一次的重大技術轉型期 - 由 PMR (垂直磁化記錄) 轉向 HAMR (熱輔助磁記錄)，由於 HAMR 在碟片材料、磁頭結構與製程條件上，皆與舊世代 PMR 存在顯著差異，產線需進行大幅改造，導致整體產能爬坡時程明顯拉長。在 HDD 業者不擴充產線、且製程推進速度受制於 HAMR 轉換期的雙重限制下，2026 年大容量 HDD 高機率將持續處於供給偏緊狀態

基於此，個人持續看好 HDD 業者 - 希捷 (STX)、威騰 (WDC) 業績受惠供不應求，維持近期以來觀點：

HAMR 雖有望帶動每台 HDD 容量顯著提升，進而拉近供需差距，但考量最快也要等到 26 下半年量產才能加速，估計 2026 HDD 產業仍將供不應求。

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編輯整理：站狗小鄭