半導體前段設備產業追蹤：禁令、關稅、非 AI 需求低迷，26 年營運逆風增加
前言
半導體設備五巨頭中，ASML、科林研發、東京威力科創、科磊都已於近期公布了最新一季營運報告。本文將整理法說會釋出的關鍵訊息，並追蹤半導體前段設備市場後續展望。內容涉及的產業與公司包含：
半導體前段設備：ASML、應用材料 (AMAT)、科林研發 (LRCX)、TEL 東京威力科創、科磊 (KLAC)
先進製程產業：台積電 (2330)、Intel (INTC)、三星
中國需求下滑，半導體前段設備 25 年上半年營運平平
雖然半導體前段設備市場自 2024 年中開始復甦，但 2025 年上半年整體營收未能進一步攀升：
應用材料：預計上半年營收較去年下半年成長 +6.3%
ASML：上半年營收較去年下半年下滑 (-7.7)%
科林研發：上半年營收較去年下半年成長 +15.8%
東京威力科創：上半年營收較去年下半年下滑 (-2.3)%
科磊：上半年營收較去年下半年成長 +5.4%
五大業者合計營收僅較去年下半年小幅成長 +0.7%。
半導體前段設備上半年營運成長遭遇阻力，個人認為主因在於中國業務疲軟：
應用材料：中國營收個人預估上半年較去年下半年下滑 (-20)%
ASML：中國營收上半年較去年下半年下滑 (-35)%
科林研發：中國營收上半年較去年下半年成長 12.9%
東京威力科創：中國營收上半年較去年下半年下滑(-14.9)%
科磊：中國營收上半年較去年下半年下滑 (-24)%
五大業者合計在中國的營收較去年下半年大減 (-17.7)%，原因在於中芯國際與長鑫存儲等中國業者於 2023Q3~2024Q3 已為應對美對中設備出口禁令提前大量拉貨，透支後續需求；加上 2024Q4 禁令再度升級，需求自然轉弱。所幸先進邏輯與記憶體需求穩健，才避免整體營運下滑。半導體前段設備上半年中國營運表現不佳，大致符合個人去年 5 月於應用材料季報解析中的觀點：
相較於中國設備採購動能延續性有雜音，個人更看好邏輯與 DRAM 先進設備製程後續展望
也符合個人於 2024/12 月初觀點：
中芯、長鑫存儲在 23Q3~24Q3 為了因應禁令已大量提前拉貨採購，而中芯估計後續無法採購 16~28/45nm 製程設備，美國半導體設備短期 16~28/45nm 製程設備需求將進一步減少
而 ASML 中國上半年營收明顯下滑，也符合個人去年 4 月於 AMSL 季報解析的觀點：
美國持續施壓荷蘭政府出口禁令趨嚴，不利 ASML 中國營運
半導體前段設備 25 下半年至 26 年逆風增加
展望後續，儘管 AI 相關需求持續強勁，但地緣政治風險上升，使得2025 下半年至 2026 年的半導體前段設備營運面臨更多挑戰。
中國半導體設備採購 25 下半年持續低迷
美對中設備出口禁令於 2024 年底至 2025 年初陸續升級後，中國業者陸續取消對海外設備的採購訂單，下半年負面影響將進一步放大：
ASML 於最近法說會表示由於禁令升級，導致中國客戶取消下半年約 14 億歐元訂單
ASML 於最近法說會表示 2026 年營收可能僅持平，但預計中國營收比重將降至約 25%，暗示中國營收將持續衰退
科林研發持續預估禁令升級將造成 2025 年約 7 億美元營收流失，主要集中下半年
科磊預估禁令升級將造成 2025 年約約 4~6 億美元營收流失，且預計 2026 年中國營收持續下滑
應用材料預估禁令升級將造成 2025 年約 4 億美元設備與服務營收流失
半導體設備巨頭對 2025 下半年乃至於 2026 年中國業務保守，與個人於 2024/12 月初預期相符：
中芯、長鑫存儲在 23Q3~24Q3 為了因應禁令已大量提前拉貨採購，而中芯估計後續無法採購 16~28/45nm 製程設備，美國半導體設備短期 16~28/45nm 製程設備需求將進一步減少
新增可用於先進製程的成熟製程設備明確管制，估將使得美國半導體設備大廠這部分 field service、備品收入減少
美對等關稅不利消費性需求，非 AI 下游資本支出開始縮手
美國對等關稅壓力下，手機、PC 等消費性需求於上半年提前拉貨，透支下半年需求，導致非 AI 下游業者設備採購支出開始縮手，進一步不利半導體前段設備 25 下半年 ~ 26 年需求：
Intel 對半導體設備採購規模僅次於台積電，但於 AI 世代競爭力大幅落後，短期又遭遇消費性需求不佳，公司於近期法說會表示： 2026 年資本支出將降至 90~180 億美元，估計將較 2025 年雙位數下滑。
東京威力科創於最新法說會表示，為了因應消費性需求展望不佳，NAND Flash 客戶於近期下調資本支出以控制供給成長幅度，不利公司下半年設備銷售
非 AI 相關需求不佳，中國業者已於 23~24 年對半導體設備提前大幅拉貨下，東京威力科創表示中國客戶短期開始縮減成熟製程投資，亦不利公司下半年設備銷售
ASML 於近期法說會表示，客戶正最大限度地延後投資決策以觀望關稅影響，2026 年訂單能見度下滑
基於以上，ASML 對 2026 年營收展望由成長下調為不確定；東京威力科創更將 2025Q4~2026Q1 營收財測大幅下調 20%，由預期年增 +11% 轉為為年減 (-13.)%。部分半導體前段設備巨頭對 26 展望開始下調，符合個人上季以來預期：
關稅可能促使下游終端市場於 2025 年上半年提前拉貨，進而透支下半年需求，使消費性 IC 設計族群投片在下半年轉向保守。考量從從投片到晶圓產出約需 2 至 3 個季度，關稅對台積電、聯電、格羅方德 (GFS) … 等晶圓製造客戶負面影響於 2026 上半年擴大，屆時可能開始縮減對前段製程設備的採購規模；而半導體前段設備從下訂至交貨亦需約 2 至 3 個季度，推估相關負面影響將於 2026 年中起逐步反映在設備廠的營收表現上。
關稅不利美國在地生產，壓縮美系設備業者短期利潤率
關稅除了間接降低半導體設備需求外，也直接推升美國本地生產成本，壓抑美系業者短期獲利：
科林研發於最新法說會表示，預期 25Q4 季度受到關稅負面影響將擴大，使得當季毛利率下滑 2 個百分點
科磊於最新法說會表示，關稅將對下半年每季毛利率下滑約 0.5~1 個百分點
儘管部分美系設備業者表示將透過漲價反應關稅成本 (例如應用材料) ，或加速設備生產組裝轉移至海外生產基地 (例如科林研發)，但調整需要時間非一蹴可及，關稅短期仍將壓抑美系設備業者利潤率。
後續展望
最後我們嘗試推估半導體前段設備供應鏈上公司後續營運表現。
26 上半年或為半導體前段設備短期營運高點
美國對等關稅壓抑下半年非 AI 需求，對台積電、Intel、聯電、格羅方德 (GFS) … 等晶圓製造客戶負面影響將於 2025 年底至 2026 上半年擴大，進而不利對半導體前段設備 2026 年展望。
參考台積電官方先進製程預定量產時程，N2、N2P、A16 製程將於陸續於 25Q4~26 下半年量產，美國亞利桑那州 P2 廠可能於 27 年量產，這將推動邏輯先進製程設備採購動能持續至 26 年中。然而考量更下一代 A14 製程量產要等到 2028 年，個人預期 26 下半年~27 上半年台積電對先進製程設備採購可能將進入暫歇期。
綜合以上，個人對於半導體前段設備族群短期展望維持上季以來觀點：
個人預期 26 上半年或為半導體前段設備族群：ASML、應用材料 (AMAT)、科林研發 (LRCX)、TEL 東京威力科創、科磊 (KLAC) 營運短期高點。
帆宣(6196)、京鼎 (3413)、翔名(8091)、公準 (3178)、瑞耘 (6532) … 等，其業績與美系客戶營運高度連動，因此亦可能於 26 上半年步入營運短期高點。
需注意的是，由於帆宣廠務工程營收比重明顯前段設備製造收入，將額外受惠於台積電台、美、日三地前期廠房興建持續推進，因此預期 26 年業績展望將優於其他同業。
26~29 年，曝光設備成長性恐落後於蝕刻、沉積、檢測設備
回顧過去 13 年半導體前段設備發展，即使整體大致呈現向上攀升趨勢，但不同類別設備在不同時期的成長速度卻有差異
2012~2018 年：邏輯製程自 2012 年開始導入多重曝光，NAND 製程則於 2013 年轉向垂直堆疊，帶動蝕刻與沉積設備需求顯著上升，成長幅度優於曝光機。這段期間，沉積與蝕刻龍頭 - 應用材料、科林研發營收增速均高於曝光設備龍頭 ASML，科林研發營收也從落後轉為追上 ASML。
2018~2023 年：先進邏輯製程 (7nm) 開始導入 EUV，部分關鍵層以 EUV 一次曝光取代上一代浸潤式 DUV 多重曝光程序，變相壓抑多重曝光需求。由於 EUV 單價為浸潤式 DUV 的2~3 倍，推動曝光設備成長率超越蝕刻與沉積設備，ASML 營收增速也轉為領先設備同業，與科林研發營收差距再度拉開。
2023~2024 年：美對中設備出口禁令開始實施，由於曝光機在中國國產替代率最低，中國業者為避免後續限制加碼，提前大幅採購曝光機，帶動 ASML 過去兩年營收增速明顯高於其他設備同業，與科林研發營收差距擴大，甚至超越應用材料登領頂龍頭寶座。
然而展望 2026~2029 年，個人認為曝光設備成長動能將再度落後於蝕刻、沉積、甚至檢測設備：
台積電於近期再次強調先進製程 A14 不一定採用 High-NA EUV，這意味著台積電 2026~2029 年先進製程微縮將再度仰賴多重曝光推動，估計將重新推動蝕刻、沉積設備需求增速高於曝光設備，與 2012~2018 期間雷同。
過往 EUV 需求部分來自 Intel 與三星為追趕台積電的積極投資。然而隨著兩者於各自核心市場市占率持續流失，先進製程的投資回收壓力上升，導致兩者於近期對 EUV 採購轉為保守。Intel 新執行長甚至直言，沒有足夠代工客戶下不排除停止下一代 14A 製程。個人估計，這將使 Intel 與三星後續對昂貴的 High-NA EUV 採購縮手，2026~2029 年間先進製程微縮將仰賴多重曝光推進，而非大規模升級下一代 EUV 機台推動。
隨著摩爾定律放緩，電晶體增加由過往主要仰賴前段製程微縮，轉向與先進封裝並行推進，AI 浪潮自 2023 年起更催化先進封裝需求爆發。隨著先進封裝轉向 2.5D、3D 垂直堆疊形式，對先進蝕刻、沉積與檢測設備依賴更高，但曝光機主要則採用低階的 l-line、KrF DUV，這使得蝕刻、沉積與檢測設備成長又進一步優於曝光設備。
儘管半導體前段設備可能於 2026 年遭遇短暫逆風，但在 AI 浪潮與地緣政治壓力下，個人仍看好 2027~2030 年將享有成長順風。其中，個人更看好蝕刻、沉積、檢測設備業者 - 應用材料、科林研發、東京威力科創、科磊，預期 2026~2029 年期間的成長表現將優於 ASML。
參考
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