創意攜手美光,推進 HBM4 IP 開發
為什麼重要
創意與美光的合作,以及其在台積電先進製程技術的成功應用,預示著記憶體技術和高效運算領域的重大進展,對於雲端服務、AI 解決方案供應商及相關晶片製造業者將帶來直接的商業機會和技術優勢。
該技術的發展和採用,將促進記憶體和邏輯晶圓廠之間的合作,加速高效能運算和 AI 技術的創新,對投資於這些領域的公司可能帶來正面影響。
背景故事
#合作擴張、#先進製程、#市場需求
創意過去已與 SK 海力士合作開發高頻寬記憶體(HBM)技術,此次與美光的合作,標誌著創意在 HBM 領域的持續擴張。
台積電的先進製程技術,包括 N7/N6、N5/N4P、N3E/N3P,為創意提供了強大的技術支援,使其能夠開發出符合最新記憶體技術標準的產品。
發生了什麼
#3 奈米 HBM3E、#HBM4 開發、#平臺設計
創意宣佈其 3 奈米 HBM3E 控制器和實體層 IP 已被雲端服務供應商及多家高效運算解決方案供應商採用,預計於 2024 年內完成設計定案。
該公司積極與美光合作,開發下一代 AI ASIC 的 HBM4 IP,並已透過台積電先進製程技術的驗證。
創意提供的 HBM CoWoS ASIC 平臺設計服務包括完整的 2.5D 與 3D 選項,並與 proteanTecs 合作增強小晶片的可觀察性和可靠性。
接下來如何
#市場地位、#加速開發、#創新產品
創意的 HBM3E 控制器和實體層 IP 的成功採用,將進一步鞏固其在高效運算和 AI 市場的地位,並可能吸引更多客戶採用其技術。
與美光的合作將加速 HBM4 IP 的開發程式,預期將在未來幾年內推出市場,進一步提升創意在高頻寬記憶體領域的競爭力。
創意將持續利用台積電的先進製程技術,開發更多創新產品,以滿足市場對高效能記憶體解決方案的需求。
他們說什麼
創意行銷長 Aditya Raina 表示,公司的 HBM3E 解決方案獲得多家大廠採用,證明瞭其技術的穩健度與市場優勢。
美光 AI Solutions Group 的 senior director Girish Cherussery 指出,記憶體是推動 AI 伺服器和資料中心繫統效能進步的基礎,美光的記憶體速度及能源效率將支援 AI 領域的成長。