鎧俠挑戰 1,000 層 NAND，記憶體戰升級
Ethan Chen
為什麼重要
鎧俠的技術進展將直接提升記憶體設備的密度和效能，影響消費電子、伺服器和資料中心市場，使得相關產業的產品性能提升，成本效益增加。
威騰的策略調整反映出記憶體業對於資本投入和技術發展速度的重新評估，可能影響其與競爭對手的市場地位和投資者對記憶體行業的看法。
背景故事
從 2014 年至 2022 年，3D NAND 技術 24 層增長至 238 層，顯示出顯著的技術進步。
威騰和鎧俠共同宣布了其 218 層的 BiCS 8 代 3D NAND 產品技術，預計 BiCS 9 和 BiCS 10 代產品將達到 300 和 400+ 層。
發生了什麼
鎧俠近日概述了其 1,000 層 3D NAND 的技術路線圖，預計到 2027 年達到此技術水準，NAND 晶片密度將達到 100 Gbit/mm²。
威騰的執行副總裁 Robert Soderbery 在投資者會議指出，3D NAND 的製造成本高於 2D NAND，需要更高的資本強度，但隨著位密度的增加，成本降低幅度較小。
威騰沒有直接談論其與鎧俠的合作，而是強調了層數競賽的終結，表示 NAND 層數的增長速度將會放緩，以優化資本部署。
接下來如何
威騰可能不願意加入鎧俠在 2027 年前實現達到 1,000 層所需的多個層級躍升，希望減緩層級增長率。
鎧俠將繼續推進其 1,000 層 3D NAND 技術的開發，以保持在記憶體技術領域的競爭優勢。
威騰將尋求在節點級別上現時資本支出回報最大化，利用其更強大的客戶關係為高端用例提供高端節點。
他們說什麼
威騰執行副總裁 Robert Soderbery 表示：「我們不再像倉鼠一樣在層數遷移中奔跑。3D NAND 層數節點必須持久耐用、功能豐富且面向未来。」
Soderbery 還指出，任何特定節點的使用壽命都將延長，威騰將尋求在節點級別上實現資本支出回報最大化，並通過制造安排来滿足大客戶需求。
