南韓 Micro LED 國家計畫遇良率瓶頸，今年未達 60% 目標；LG Display、NineTech 力拚 2032 年量產
Celine
Micro LED 量產挑戰浮現 最終目標 99.99999％ 良率仍有巨大落差
南韓政府推動的新一代顯示技術國家研發（R&D）計畫傳出進度不如預期。根據韓國媒體報導，「無機發光（iLED）顯示技術開發暨生態系建構計畫」中的 Micro LED 核心研發專案，今年面板良率未能達到原訂 60% 的年度目標，也讓最終挑戰 99.99999% 超高良率的量產目標面臨更大考驗。
市場人士指出，若良率無法大幅改善，Micro LED 距離大規模商業化仍有一段距離。
南韓投入 4840 億韓元 LG Display、NineTech 參與研發
這項由南韓政府主導的「無機發光（iLED）顯示技術開發暨生態系建構計畫」，自 2025 年至 2032 年推動，總投資金額約 4840 億韓元，涵蓋 Micro LED 等下一代顯示技術，共規劃 16 項子計畫。
其中，Micro LED 材料與零組件開發計畫由 LG Display（034220.KS）、NineTech（267320.KQ）等知名企業參與，共同開發 Micro LED 量產的關鍵製程。
據了解，各參與單位將於本月召開專案營運委員會，檢視各項製程研發進度，並討論後續技術開發方向；預計 10 月舉辦成果發表會，展示轉移、接合、檢測、修復（Repair）等製程成果，以及 5 微米（μm）等級 Micro LED 面板。
良率低於年度 60％目標 量產仍待突破
消息人士透露，今年專案設定的面板良率目標為 60%，但目前實際良率仍低於該水準。
參與計畫的相關人士表示，由於具體數據屬於政府專案報告內容，因此無法對外公布，但確認目前尚未達成年度目標。
值得注意的是，該計畫最終希望將整體製程良率提升至99.99999%，幾乎等同百分之百良率，以符合商業量產需求。
Micro LED 製造難度高 四大關鍵製程成勝負關鍵
目前各研究團隊主要聚焦四項核心技術，包括晶片轉移（Mass Transfer，將數百萬顆微型 LED 晶粒快速且精準地轉移至基板）、晶片接合（Bonding，完成 LED 晶粒與基板電極連接、缺陷檢測（Inspection，辨識不良像素及異常晶粒）、修復技術（Repair，更換失效晶粒，提高最終面板良率）。
由於一片 Micro LED 面板可能包含數十萬至數百萬顆 LED 晶粒，即使轉移良率高達 99.9%，仍可能留下數千顆不良晶粒，造成顯示缺陷。
業界指出，Repair 製程雖然可改善最終良率，但若前段轉移與接合製程不良率過高，不僅修復時間大幅增加，也將推升製造成本，因此仍需優先提升前段製程良率。
垂直晶片架構提高技術門檻 精密對位成新挑戰
除了良率問題外，Micro LED 晶片架構也正由傳統 Flip Chip（覆晶）逐步轉向垂直型（Vertical）設計。
相較於 Flip Chip，垂直型晶片需分別連接上下電極，因此對晶片定位精度、雷射加工及接合技術提出更高要求，目前相關製程仍處於研發階段。
市場認為，這也是目前良率難以快速提升的重要因素之一。
業界：最快 2028 年車用、商用顯示率先導入
儘管目前量產仍面臨挑戰，但市場普遍認為，隨著轉移、接合及修復等製程逐步成熟，Micro LED 技術最快可望於 2028 年率先導入車用顯示器、大型商用顯示器（Digital Signage）等應用市場。
不過，業界也坦言，目前連年度 60% 的良率目標都尚未達成，距離真正商業化仍有一段距離，未來幾年仍須持續改善前段製程良率、提升檢測與修復效率，並同步降低製造成本，才能加速 Micro LED 量產落地。
