美國升級出口管制，限中國先進 DRAM 技術
發佈時間：2024/12/09
為什麼重要
此次出口管制升級將直接影響中國企業生產先進 DRAM 的能力，對全球半導體供應鏈造成重大影響。
儲存晶片製造商需調整技術策略以符合新標準，可能促使行業加速技術創新與產品升級。
背景故事
#出口管制升級、#儲存晶片限制、#DRAM 密度
美國對中國的出口管制近日進行了升級，特別針對儲存晶片，尤其是 DRAM 的限制進行了更新和增加。
之前的管控標準中提到的「18nm 及以下節點」的描述被刪除，改為更細化的儲存單位面積及儲存密度的管控。
這次更新的目的在於防止中國企業透過更緊湊的儲存單元架構及三維堆疊 DRAM 來生產更高儲存密度的先進 DRAM。
發生了什麼
#BIS 新標準、#非平面電晶體、#垂直堆疊 DRAM
根據 BIS 發布的檔案，新的管控標準包括使用非平面電晶體架構或生產技術節點為 16/14nm 或更小的邏輯積體電路；具有 128 層或更多層的 NAND Flash。
對於 DRAM，新標準為儲存晶片單元面積小於 0.0019 µm² 或儲存晶片密度大於每平方毫米 0.288 Gb。
新的管控標準既包括了儲存單元小型化的進步，也囊括了透過垂直堆疊 DRAM 層以實現更高密度的 HBM 和其他 DRAM。
接下來如何
#中國企業影響、#技術突破、#自主研發
新的出口管制標準將對中國企業生產和研發先進儲存技術造成影響，特別是那些依賴小型化儲存單元和高密度 DRAM 技術的企業。
中國企業可能需要尋找新的技術突破或合作夥伴，以滿足生產需求並規避美國的出口管制。
長期來看，這可能促使中國加快自主研發能力的建設，減少對外部先進技術的依賴。
提到的股票
概念股
參考資料
編輯整理：黃沛琪
