美國放寬三星電子、SK 海力士中國廠半導體設備出口管制
外電報導指出，美國政府已調整對韓國半導體業者在中國設廠的出口管制作法。美國商務部工業與安全局（BIS）決定不再如原計畫全面撤銷三星電子與 SK 海力士中國法人之「經驗證最終用戶」（VEU）待遇，而是改以「年度核准制」方式，管控美國半導體設備與零組件出口。
業界評價屬「有限鬆綁」 營運不確定性未完全解除
根據新機制，三星電子與 SK 海力士可每年事先向美國政府申報所需進口至中國工廠的設備與零組件種類及數量，經 BIS 審查通過後，即可在一年內依核准清單引進相關產品，無須針對每一筆設備採購逐案申請許可。
市場人士指出，雖然年度核准制在審查標準上較原本的 VEU 制度嚴格，但相較於每次設備進口都須等待美方個別核准，已被視為一項「實質性緩和」措施，有助降低行政程序對工廠營運的干擾。
年度核准取代即時審批 程序仍較 VEU 嚴格
VEU 制度原本允許企業在符合特定安全條件下，不受額外出口許可限制即可取得美國製設備。三星電子中國西安 NAND 廠、SK 海力士無錫 DRAM 廠與大連 NAND 廠，過去皆曾被列入 VEU 名單，得以持續引進美國設備。
不過，美國政府去年 8 月底宣布，將自 9 月 2 日於《聯邦公報》公告後 120 天起，將相關中國法人自 VEU 名單中移除，原定於本月 31 日正式生效。若全面撤銷 VEU，三星與 SK 海力士在中國的工廠，未來每次引進美國設備皆須重新申請個別出口許可，恐對生產排程與營運效率造成衝擊。
仍禁擴產升級 企業憂需求難精準預測
儘管管制方式轉向年度核准制，業界仍認為不確定性尚未完全消除。半導體製造涉及設備與零組件種類繁多，實務上難以精準預測全年需求，若中途出現追加設備需求，仍須另行與 BIS 協商並取得核准。
此外，美國政府仍維持既有政策立場，即禁止以出口設備方式協助中國廠區擴充產能或進行先進製程升級，年度核准僅限於維持既有產線運作所需。
中國產能占比高 供應鏈高度關注
根據市調機構 TrendForce 資料，三星電子今年約有 30％至 35％的 NAND Flash 產量來自中國西安廠；SK 海力士中國廠則約貢獻全球 DRAM 產量的 30％至 35％，NAND 產量更高達 40％至 45％。相關設備管制政策的任何變化，皆牽動全球記憶體供應鏈穩定性。
半導體業界人士普遍認為，此次美方調整屬「有限度鬆綁」，短期內可降低營運衝擊，但在地緣政治與出口管制框架未改變之前，韓系大廠在中國的長期布局仍充滿變數。
