產業解析:先進封裝玻璃基板展望與競爭格局
前言
隨著 AI 晶片封裝面積不斷膨脹,晶圓級封裝在尺寸上限制逐漸不敷使用,適合大尺寸晶片的面板級封裝 (Panel Level Package) 開始加速興起。然而大尺寸面板級封裝關鍵挑戰在於克服翹曲問題,玻璃基板在抗翹曲上諸多優點,使其成為未來先進封裝材料的明日之星。

(圖片來源:Intel、LPKF、財報狗整理)
基於以上,我們將透過兩篇文章和讀者簡介先進封裝玻璃基板展望與相關供應鏈,在本篇文章主要內容為:
為何需要玻璃基板
玻璃基板製程挑戰
先進封裝玻璃基板機會與商用化時程
先進封裝玻璃基板的競爭格局
提及公司將包含:
玻璃母材業者:康寧 (GLW)、艾杰旭 AGC、日本電氣硝子 NEG、德國肖特 SCHOTT
玻璃 TGV 加工業者:DNP 大日本印刷、TOPPAN 凸版印刷、JNTC、群創 (3481) 、京東方、沃格光電
玻璃載板業者:SEMCO 三星電機、Absolics、Ibiden 揖斐電、Shinko Electric、欣興 (3037)
晶圓製造業者:Intel (INTC),台積電 (2330)
為何需要玻璃基板
封裝尺寸快速膨脹以及訊號傳輸速率快速攀升,為玻璃基板在先進封裝中開始備受關注的兩大關鍵趨力。
玻璃基板優勢:降低大尺寸封裝 Warpage 翹曲風險
AI 晶片對於算力、記憶體、通訊、功率等元件異質整合需求持續攀升,驅動先進封裝尺寸快速放大。以 Nvidia AI 晶片為例,2022 年推出的 Hopper 晶片封裝尺寸約為 2 倍光罩大小,最新 Rubin 世代尺寸預計將膨脹至 4~5.5 倍光罩大小,未來將持續往 8~9 倍光罩尺寸前進。
然而承載異質晶片的板材 - 封裝載板、中介層、RDL 重構晶圓 / 晶板,是由 ABF、Polyimide 材料、金屬材料、EMC 等異質材料所組成,在遭遇封裝流程中反覆加熱再冷卻步驟時,不同材料熱膨脹係數 (CTE) 差異巨大將導致膨脹和收縮幅度不一致,會導致板材出現 Warpage 翹曲現象。封裝尺寸越大,板材變形效應就越大,Warpage 翹曲問題更為嚴重。
嚴重的翹曲,會導致銅佈線形成所需的曝光對準 (lithography overlay) 不準、晶片鍵合位置偏差、銅線寬線距與開孔落點偏差難以精細 … 等多重問題,使得封裝良率明顯降低。

(圖片來源:Corning)
和傳統有機材料相比,玻璃在 CTE 匹配、平坦度、高溫穩定性具備優勢,在大尺寸封裝中導入玻璃基板,將能改善板材 Warpage 翹曲問題:
玻璃材料熱膨脹係數 CTE 可透過配方客製化調整,使其與矽晶片的熱膨脹係數差較有機材料明顯縮小,進而降低封裝熱製程造成的 Warpage 翹曲。
厚度或表面結構的不均勻,會放大 Warpage 翹曲問題。玻璃材料在厚度均勻性優於有機材料,降低板材因熱脹冷縮而扭曲形變風險
玻璃材料耐熱臨界溫度 (Tg) 高達 500~700°C,明顯高於有機材料的 150~300°C,在先進封裝高溫熱製程 (例如 Reflow 迴焊流程溫度約 240~260°C) 相變軟化風險極低,進而降低 Warpage 翹曲問題
玻璃材料楊氏模數高達 50~80GPa,明顯高於有機材料,楊氏模數越能抗彎曲,進而降低 Warpage 翹曲幅度。

玻璃基板優勢:降低高速訊號傳輸損耗
單顆 AI 晶片算力有限下,目前 AI 依賴數百、數千顆晶片互連組成的大型叢集集體運算,因此晶片之間訊號傳輸速率高低,將直接影響 AI 運算叢集效能高低。然而訊號傳輸速率上升意味著頻率上升,頻率上升導致訊號在絕緣介電材料中的傳輸損耗也隨著上升。

(頻率越高,損耗越高,圖片來源:Broadcom)
訊號在不同絕緣介電材料中傳輸損耗差異,可用材料的介電損耗因數 Df (Dissipation Factor) 作為衡量,Df 越低代表訊號在材料傳輸損耗越低。和傳統有機材料相比,玻璃材料 Df 數值僅 1/100~1/10,這意味著高速訊號傳輸中以玻璃材料取代有機材料,將能明顯降低傳輸損耗。

玻璃基板優勢:矽光整合具備高潛力
目前電子裝置訊號傳輸以銅電路為主流,但銅存在集膚效應 Skin Effect:訊號頻率每提高 4 倍,電流流動的有效截面積深度就會減半,這意味著訊號越高頻,在銅電路中傳輸衰減就越快。隨著 AI 推動訊號傳輸走向更高頻高速,銅電路帶來的訊號損耗問題將成為算力瓶頸。為了舒緩以上問題,以低傳輸損耗的光路取代銅電路為業界主要解決方向。
CPO (Co-Packaged Optics,共同封裝光學) 為典型光進銅退解決方案之一,將負責光電訊號轉換的光引擎 OE 由 PCB 版上移至晶片封裝內部,並以單模光纖飛線取代原本 PCB 版上銅電路,進而降低高頻訊號在 PCB 銅電路上傳輸的損耗。

隨著先進封裝尺寸快速放大,封裝內部銅電路傳輸距離也將對應上升,高頻訊號衰減幅度也將隨著擴大,將封裝內部載板或中介層上部分銅電路轉向光路,也將是未來必然趨勢。然而光纖飛線難以整合至晶片封裝內部,目前在封裝內部形成光路的主要技術路線有三,玻璃基板中內嵌光波導為其中之一。

(圖片來源:Corning)
玻璃基板中內嵌光波導由於線路彎曲半徑較大,難以在小面積形成複雜、高密度光路,估計不適合應用追求精細線路的中介層;但其訊號傳輸損耗很低,且在高溫、高濕環境穩定難老化,將是在載板上光路取代銅電路的潛力路線。

玻璃基板導入挑戰
儘管玻璃基板作為先進封裝載板、中介層核心材料具備潛力,但實際生產面臨不小障礙,使其目前仍未進入可量產狀態。

(圖片來源:艾邦半導體網)
TGV 玻璃開孔為核心瓶頸
將玻璃導入成為先進封裝載板、中介層核心材料,關鍵挑戰之一在於玻璃通孔 TGV (Through Glass Via) 難度很高。
製程容易產生微裂紋 (micro-cracks):玻璃硬脆特性,如果採用傳統機械鑽孔或高熱量雷射鑽孔,會在孔洞邊緣產生巨大的機械應力與熱應力,導致孔洞邊緣出現崩邊 Chipping 或微裂紋 cracks。這些缺陷一開始看似微小,但在後續製程中經歷頻繁的高低溫製程循環後可能急速放大,最終導致整片玻璃基板碎裂。
高深寬比的通孔成形難度高:先進封裝為了容納更多訊號導通,要求孔徑需在 10~30 µm 以容納更多通孔。但玻璃基板厚度往往達 100~500 µm,這意味著通孔必須為 1:10 甚至 1:20 以上的高深寬比,如此窄而深的通孔形成難度高,容易出現孔徑上寬下窄的錐形孔洞。錐形孔會增加後續通孔填銅難度,進而影響成品的訊號傳輸品質。
孔壁粗糙度難控制:窄而深的通孔也導致孔壁粗糙度難以精準控制,將造成後續孔壁鍍銅不均勻甚至局部開路,將導致導電性變差、電阻時大時小變異,影響成品的訊號傳輸品質。

(孔洞微裂紋,圖片來源:LPKF)
基於以上,TGV 目前傾向採用雷射誘導蝕刻 LIDE (Laser Induced Deep Etching) 技術,可明顯改善玻璃微裂紋問題。
雷射改質:在預定孔洞位置先照射超短脈衝雷射,不會產生微裂紋,但會使得孔洞位置玻璃材料性質改變,對特定蝕刻液的反應性提高,更容易被蝕刻液溶解
化學蝕刻:將雷射改質後的玻璃浸入化學蝕刻液中。由於改質區域的蝕刻速率比未改質區快上百倍,蝕刻液能精準將改質軌跡溶解清除,形成平滑、高深寬比的通孔
即便 LIDE 能改善微裂紋問題,錐形孔型、孔壁粗糙度控制仍使得 TGV 玻璃開孔挑戰極高。
TGV 玻璃孔壁金屬化難度高
TGV 玻璃通孔形成後,必須在孔壁與表面鍍銅形成銅電路,才能具備訊號導通傳輸效用。然而在 TGV 玻璃孔壁鍍銅、填孔難度極高。
金屬不容易牢固黏在玻璃上:玻璃表面高度光滑,缺乏足夠的化學鍵結與機械咬合,這導致金屬難以牢固附著於孔壁。即使金屬層一開始看似已附著於玻璃孔壁,但在後續製程中極易因附著力不足而發生剝離 Delamination
孔壁難形成連續且均勻金屬層:由於前面提到通孔窄而深、孔壁粗糙不一,使得晶種層無論採用濺鍍或化學鍍,厚度都難以均勻,嚴重情況甚至部分深處沒有晶種層覆蓋,使得後續成品的電訊號導通品質大受影響。
金屬填孔內部易出現空洞 Void:即使晶種層沉積連續均勻,後續進行銅電鍍填孔時,由於電場與銅離子濃度會自然集中在孔口,孔口的銅生長速度會遠快於孔內,控制不當將導致兩面孔口提早閉合封死而孔中央存在空洞,同樣會造成後續成品的電訊號導通品質大受影響。
金屬填孔引發新裂紋:銅的熱膨脹係數 CTE 16~17 ppm/°C,遠高於玻璃的 3~4 ppm/°C,在後續反覆熱製程下,孔內金屬與玻璃通孔膨脹幅度明顯不一,極易在孔壁周圍誘發新的微裂紋

(圖片來源:財報狗)
玻璃表面與其他材料層間剝離風險高
玻璃核心完成 TGV 與金屬化,後續還要在其表面堆疊多層 ABF 或 RDL,才能具備完整載板或中介層功能。但相較於 ABF 或有機樹脂表面粗糙咬合力強,玻璃表面高度光滑缺乏足夠附著力,在反覆熱製程下 ABF 或 RDL 介電材料容易與玻璃表面剝離。
以載板常見主流材料 ABF 為例,其製程特點增層法 (build up):一層一層逐次壓合形成。但由於每次真空壓合後需高溫固化,ABF 的熱膨脹係數 CTE 10~15 ppm/°C,高於玻璃的 3~4 ppm/°C,這導致 ABF 固化後會較玻璃收縮而產生剪切應力。在 ABF 多次壓合與高溫固化後,剪切應力會在玻璃與第一層 ABF 交界處不斷蓄積,最終因無法承受引發 ABF 層直接從玻璃表面剝離。
如果是在玻璃核心上進行 RDL 堆疊,由於介電材料 CTE 高達 40~60 ppm/°C,與玻璃核心 CTE 差距更大,RDL 多次增層、高溫固化過程中累積的剪切應力更大,與玻璃表面剝離風險更高。

(圖片來源:財報狗)
玻璃基板檢測難度與步驟顯著增加
玻璃的透明、高反射物理特性,對傳統有機載板所使用的自動光學檢測 AOI 設備來說是一場災難:
光學穿透與鬼影:傳統 AOI 是設計來偵測不透明基材表面反射光的。面對透明的玻璃核心,檢測光線會穿透,造成正面線路、背面線路以及內部 TGV 的反射光混雜在一起。大量的反射鬼影與雜訊,導致傳統 AOI 基本上無法直接使用。
內隱性微裂紋難察覺:玻璃通孔微裂紋可能藏在玻璃內部,或在 ABF、RDL Build-up 疊層後被遮蔽。傳統 AOI 只能看表面,無法偵測內部結構,難以察覺這些內隱性微裂紋。
為了解決以上問題,玻璃基板必須較傳統機板導入更多不同檢測技術
改用短波長光源進行光學檢測:UV、DUV 短波長光在有機材料穿透力較差,容易在 ABF 或介電材料表面被散射或吸收,如此一來光線就無法穿透到下方的玻璃核心與背面線路,降低背面反射鬼影干擾問題。
更多 3D 光學測量:彩色共焦、白光干涉、焦點變換,將玻璃上表面、下表面與內部深度資訊分開測量,避免不同維度數據混淆干擾
光譜橢圓儀:透過偏振光降低部分反射干擾
低角度暗場檢測:避免將大量反射穿透光鬼影干擾,只接收孔邊、裂紋、異物和粗糙表面散射光資訊
窄頻同軸光檢測:用於垂直照射 TGV 孔內,檢查填銅或孔壁粗糙度
超音波 C-SAM 聲學顯微鏡:超音波能夠穿透 ABF 等有機層,可用於無損偵測材料剝離、被遮蔽玻璃通孔邊緣裂紋、裸晶鍵合接面缺陷
X-Ray 抽檢:偵測金屬填孔空洞,失效分析
更多檢測步驟將造成製程複雜度上升、生產時間拉長,也意味著檢測設備需投入更多成本。
先進封裝玻璃基板機會與商用化時程
玻璃基板在先進封裝具備潛力,但基於前述製程挑戰,使得其被採用仍需時間優化,並根據難易度分階段逐步導入。
玻璃基板三種應用:Carrier、Substrate、Interposer
目前來看,玻璃材料在大尺寸面板級封裝主要應用有三:
暫時玻璃載具 Glass Carrier:目前晶圓級封裝、2.5D / 3D 先進封裝流程中,已經大量導入玻璃作為暫時載具 carrier 主要材料。隨著封裝尺寸持續放大,玻璃在大尺寸下仍可維持高平坦度、剛性高、耐熱、耐化學特質,未來仍將是大尺寸面板級封裝方形載具材料首選。需注意的是,玻璃載具只用於封裝流程,封裝結束不存在封裝晶片內
玻璃載板 Glass core substrate:用玻璃核心取代原本 ABF 的樹脂核心,進而改善大尺寸晶片封裝翹曲問題,並降低高速訊號在載板中傳輸損耗。玻璃載板會永久存在於封裝晶片內。
玻璃中介層 Glass Interposer:在 2.5D、3D 高階封裝中,用玻璃核心取代原本中介層核心材料 (矽、Molding 材料),進而改善大尺寸晶片 2.5D、3D 封裝翹曲問題,並降低高速訊號在中介層中傳輸損耗。

(圖片來源:Intel、LPKF、財報狗整理)
2026~2028 年:大尺寸暫時玻璃載具 Carrier 需求加速
在 AI 晶片尺寸快速擴大的驅力下,預計 2026 年起面板級 PLP 產能建置加速,大尺寸暫時玻璃載具需求將隨著上升。由於玻璃載具 carrier 並不需要 TGV、金屬化、多層線路增層,因此受惠業者僅限上游玻璃材料業者。
2028~2029 年:玻璃載板有望邁入商業化
玻璃載板製程仍有諸多挑戰,2026 年仍將處於研發與試產階段。但在 AI 晶片持續追求更大封裝尺寸、更高互連密度、更低訊號損耗下,持續推進技術走向成熟:
載板廠 SEMCO 三星電機:玻璃載板 2025 年向客戶提供樣品進行推廣,預計 2027 年開始進入量產。
玻璃載板廠 Absolics:玻璃載板 2025 年開始首批商業化交付,正式較大規模量產預計於 2027 年展開。
載板廠 Ibiden 揖斐電:參考 2026Q2 業務報告資訊,預計量產時間可能落在 2029~2030 年。
大日本印刷 DNP:玻璃載板 pilot line 2025 年底分階段啟動;2026 年初開始送樣;預計 2028 年 量產
Intel:2026 年初展示將玻璃載板導入自家 EMIB 先進封裝,預計 2030 年以前量產
以上來看,玻璃載板有望於 2027 年開始小幅量產,2028~2029 年邁入較具規模的商業化進程。
2030 年後:玻璃中介層商業化機會可持續關注
由於玻璃中介層製程難度更高於玻璃載板,目前來看 2029 年以前量產機率偏低
玻璃中介層要求更小的 TGV 孔徑與間距,以達成更高密度訊號互連
玻璃中介層薄度要求高於玻璃載板,以縮短垂直互連高度、降低 TGV 孔徑
玻璃中介層線寬 / 線距要求更小於玻璃載板,因此表面平坦度更嚴格
玻璃中介層上下兩面 RDL 增層,多半採取不對稱設計結構,因此玻璃表面與其他材料層間剝離風險,玻璃中介層比玻璃載板更嚴重
玻璃中介層核心更薄、孔徑更小、感光介電材料 PID 透光性更高,這使得 AOI 檢測時光學穿透與鬼影問題比玻璃載板更嚴重
然而若玻璃載板於 2028~2030 年之間能夠加速量產,業界將逐步具備足夠良率調教經驗克服以上瓶頸,將有利玻璃中介層加速研發與商業化進程,因此個人認為玻璃中介層商業化機會仍可持續關注。
先進封裝玻璃基板的競爭格局
由於玻璃材料配方與加工門檻高,這使得先進封裝玻璃基板主要業者,除了傳統載板、中介層巨頭外,擅長大尺寸玻璃處理的玻璃材料、面板供應鏈業者也積極跨入競爭。

競爭優勢對比
玻璃材料業者、面板供應鏈相關業者、載板業者、與晶圓製造業者,在玻璃基板優劣勢有明顯差異:
載板 / 中介層業者在高密度精細銅佈線、ABF / RDL 多層堆疊能力優勢極強,預期長期仍將主導高階玻璃載板市場。
玻璃材料業者在材料配方與製程掌握上難以匹敵,並具備向下整合 TGV 開孔、加工優勢,預期在 TGV 開孔加工環節將持續給面板供應鏈業者帶來競爭壓力。
面板供應鏈相關業者在前段材料優勢明顯不如玻璃業者,後段高密度精細銅佈線、ABF / RDL 多層增層能力又不如載板、晶圓製造業者,預期長期在玻璃基板競爭可能侷限於中低階市場。

(財報狗整理製表)
玻璃材料業者
上游玻璃材料業者在玻璃領域深厚底子,使其在先進封裝玻璃基板製造自然具備多重優勢:
掌握玻璃母材特性配方與製程:玻璃基板在大尺寸封裝中的諸多優點:熱膨脹係數 CTE 可客製、平坦度與均勻性高、低鹼低應力,主要取決於玻璃材料配方與製程,而關鍵配方與製程掌握於上游玻璃母材業者手中,使得玻璃母材業者先天具備跨入玻璃基板製造優勢
TGV 開孔製程具備先行優勢:TGV 開孔良率與玻璃母材特性 - CTE、平坦度、化學組成息息相關,母材配方又由上游玻璃材料業者掌握,因此在關鍵的 TGV 開孔製程上游玻璃材料業者具備先天優勢
主導玻璃材料內嵌光波導:玻璃內嵌光波導目前主流技術為 IOX 離子交換法,製程非常仰賴材料化學與玻璃配方的深度客製化,因此掌握配方的上游玻璃材料在此路線上具備主導權。
上游玻璃材料業者在先進封裝玻璃基板劣勢為:
TGV 金屬化、精細銅佈線能力劣勢:高深寬比孔壁鍍銅填銅、高密度銅佈線形成,需要導入更多類前段晶圓製造與先進封裝技術,玻璃材料業者在以上面向能力不如高階載板、晶圓製造巨頭。
ABF、RDL 多層增層能力劣勢:ABF、RDL 低層數增層難度不高,但高層數堆疊良率仰賴長期經驗累積,與更多高階載板、類晶圓製造設備投入,玻璃材料業者在以上面向能力不如高階載板、晶圓製造巨頭。
載板、類晶圓製程設備資本支出劣勢:如同前面所述,金屬化、精細銅佈線、多層增層堆疊需要大量採用先進封裝、類前段晶圓製造設備,這類設備價格昂貴,玻璃材料業者若要跨入載板製造將伴隨較高支出壓力。
基於以上,玻璃材料業者最適合的定位在於玻璃材料、TGV 開孔加工。由於玻璃母材配方與製程門檻高,先進封裝玻璃母材供應由康寧、德國肖特 SCHOTT、艾杰旭 AGC、日本電氣硝子 NEG 等少數業者寡佔,並都積極向下整合 TGV 開孔加工環節。
康寧 Corning:矽光整合能力最強
康寧目前在先進封裝提供玻璃 carrier、玻璃母材、TGV 開孔、光波導整合加工服務,但並未公開明確量產時間點。但相較於其他對手,康寧在光纖、光纜、光學連接器業務上具備高能見度,AI 與超大型資料中心用光纖通訊市場擁有壓倒性統治力,這使得公司在玻璃基板與矽光通訊技術整合上具備先天優勢。
康寧在 2025 OFC 會議展示於玻璃載板核心內嵌光波導的技術概念,2026 年在韓國展示在玻璃內嵌光波導的光纖耦合技術 GlassBridge,以上顯示康寧在玻璃、光纖、光學連接技術整合上強於競爭對手。

(圖片來源:Corning)
日本電氣硝子 NEG:先進封裝玻璃基板佈局最明確
NEG 在先進封裝玻璃基板佈局積極,其技術路線目前有二:
純玻璃核心載板:適合追求微細線寬線距、高密度佈線的高階 AI 運算
玻璃陶瓷核心載板:成本較低、高性價比,適合中高階晶片

透過在玻璃中混合陶瓷材料,玻璃陶瓷核心 GC Core 具備極高的機械強度與韌性,比純玻璃更耐摔、不易碎裂;也因為更強韌,可以比純玻璃更薄,大幅縮減封裝後的整體晶片高度。更關鍵的是,由於具備了陶瓷的抗裂與抗變形特性,玻璃陶瓷核心可採用 NEG 與 Via Mechanics 合作研發 CO₂ 雷射開孔技術,成本明顯低於主流的雷射誘導蝕刻 LIDE 技術,可降低下游導入玻璃基版阻力。
NEG 目前已供應 300x300mm / 515x510mm 尺寸、TGV 開孔後玻璃核心樣品,目標 2028 年將開始投入量產,為同業之中量產時程最明確業者。
艾杰旭 AGC:玻璃材料、TGV 加工、周邊材料同時佈局
AGC 供應玻璃 carrier、玻璃母材、TGV 開孔、光波導整合加工服務,可提供 510 × 515 mm 面板級封裝尺寸玻璃核心。相較於同業主要專注於玻璃基板材料,AGC 在先進封裝材料佈局更為廣泛,將自身定位為先進封裝全方材料供應商。公司最新季報中預計玻璃核心將於 2029 年逐步量產,同樣為同業之中量產計畫較明確業者。

(圖片來源:AGC 財務報告書)
肖特 SCHOTT:2026 年設置 TGV 玻璃核心試產線
SCHOTT 提供玻璃 carrier、玻璃母材、TGV 開孔加工服務,其面板尺寸供應範圍包括典型 510x515 mm,最大可達 650x650 mm。公司雖然宣稱具備 fast-volume manufacturing 能力,但並未公開明確量產時間點,2026 年僅提到已設置試產 line 支援 TGV 開發、原型製作與客戶驗證。
面板供應鏈相關業者
除了前述玻璃母材巨頭,面板供應鏈相關業者憑藉在大、薄、方形玻璃面板處理豐富經驗,亦積極跨入玻璃基板加工與成品市場競爭。
大面板自動化搬運能力優勢:大面積、極薄且易碎玻璃在產線搬運上有易碎風險。面板供應鏈業者本身就具備大尺寸玻璃基板上的自動化搬運、對位精度控制深厚經驗,在大尺寸玻璃傳輸與拿取系統建置能力具有優勢
大面積曝光/圖形化經驗優勢:面板 LCD 的製造流程主要依賴曝光與顯影技術,這與載板、中介層的銅佈線製程步驟有共通性,使得面板供應鏈業者得以縮短在精細線寬線距的銅佈線製程摸索時間。
大面積薄膜形成經驗優勢:面板的製造流程中包含大面積薄膜形成步驟,這與 RDL 製造中介電質、晶種層形成步驟有共通性,使得面板業者得以縮短在高線寬線距的 RDL 製程摸索時間。
閒置產能活化與折舊優勢:面板需求逐漸萎縮下,部分面板供應鏈業者在低階產能利用率本就偏低,將這些已經折舊殆盡的舊世代產線、設備、廠房轉為投入先進封裝市場,將使得面板供應鏈廠在玻璃材料加工環節具備早期成本優勢。
但面板供應鏈廠商在玻璃基板劣勢也很明顯:
玻璃母材配方與製程劣勢:玻璃基板在先進封裝中的諸多優點:熱膨脹係數 CTE 可客製、平坦度與均勻性高、低鹼低應力,主要取決於玻璃材料配方與製程,而關鍵配方與專利掌握於上游玻璃母材業者手中。玻璃製程中的參數控制需要數十年的數據累積,不少設備更是由玻璃廠自研自製,對於新進業者形成極高製造門檻。
TGV 金屬化、超精細銅佈線能力劣勢:面板 LCD 的製造流程主要依賴曝光與顯影技術,雖然與載板、中介層的銅佈線製程步驟有共通性,但高深寬比孔壁鍍銅填銅、高密度銅佈線形成,需要導入更多類前段晶圓製造與先進封裝技術,面板供應鏈業目前在以上面向能力不如高階載板、晶圓製造巨頭。
ABF、RDL 多層增層能力劣勢:ABF、RDL 低層數增層難度不高,但高層數堆疊良率仰賴長期經驗累積,與更多高階載板、類晶圓製造設備投入,面板供應鏈業者在以上面向能力不如高階載板、晶圓製造巨頭。
基於以上,面板供應鏈相關業者目前主要集中於 TGV 開孔加工環節,雖然部分業者向下跨入 TGV 金屬化、玻璃載板成品市場,但估計只能切入粗線距線寬的中低階玻璃基板成品市場。
DNP 大日本印刷:同業中量產規劃最明確
早期以印刷業起家,後來將印刷、塗佈、曝光、蝕刻及微細圖形化技術延伸到半導體光罩、顯示器彩色濾光片與電子材料,成為全球 OLED 面板製程金屬遮罩 Fine Metal Mask 壟斷者,其精密光阻與蝕刻技術決定了高階手機螢幕的畫素密度,也是彩色濾光片與面板光罩的關鍵供應商。
憑藉在大尺寸玻璃搬運、曝光顯影及精密加工長期經驗,DNP 積極切入玻璃載板核心 glass substrate core 製造,明確提供 TGV 開孔、TGV 金屬化加工服務。目前公開可支援尺寸為 510 × 515 mm,並提供兩種類型玻璃核心載板:
Conformal type:TGV 孔壁鍍銅,但中央孔洞用樹脂填孔。
Filled type:TGV 孔壁鍍銅,中央孔洞也用銅填孔
公司位於日本久喜廠的玻璃載板核心試產線於 2025 年已啟用,並於2026 年初開始供應樣品,目標於 2028 會計年度進入量產。
TOPPAN 凸版印刷:已進入試產階段
TOPPAN 與 DNP 同為日本印刷雙雄,業務同樣跨入半導體光罩、顯示器彩色濾光片與電子材料,但TOPPAN 在先進封裝材料佈局較 DNP 更多元。憑藉在大尺寸玻璃面板搬運、曝光顯影、銅線路形成、載板 build-up 長期經驗,TOPPAN 也積極進攻玻璃基板市場。TOPPAN 目前具備 TGV 成孔、金屬化、填孔加工能力,公開發展的相關產品包括:
具有 TGV 的玻璃核心
具有 cavity 的玻璃核心
玻璃核心 ABF 載板
玻璃中介層
TOPPAN 於 2025 年宣布將於石川工廠 (原 JOLED 工廠,2023 年收購) 投資 400 億日圓建置 510mm × 515mm 大型面板級先進封裝試產線,目標涵蓋大型玻璃中介層、玻璃核心及有機 RDL 中介層,預定 2026 年 7 月啟用,TOPPAN 目標是在 2026 年下半年至 2027 年密集向核心客戶提供樣品進行驗證。
JNTC
JNTC 是韓國精密玻璃加工業者,自 2010 年左右開始發展用於顯示螢幕最外層的強化蓋板玻璃,切入手機與車用顯示蓋板,為 3D 曲面蓋板玻璃創始者。因此公司在玻璃加工具備以下強項:
玻璃切割與研磨
化學強化
曲面成形
玻璃蝕刻與表面處理
公司於 2024 年宣布進軍半導體玻璃基板,2025 年完成韓國境內專用玻璃基板工廠,公開產能規劃約每月 10000 片/件;近期與 TOPPAN 簽署合作協議,共同推動次世代 TGV 玻璃基板的商用化,目標 TGV 玻璃基板於 2027 年進入量產 。個人估計 JNTC 主要提供玻璃核心 TGV 開孔、金屬化加工,TOPPAN 負責後續 ABF、RDL build up
群創 (3481)
群創作為台灣大型 LCD 面板製造商,具有大尺寸玻璃面板搬運、真空鍍膜、曝光顯影、蝕刻、電鍍長期經驗。公司將自身定位為面板級封裝、玻璃材料解決方案提供者,目前 FOPLP 封裝已量產,且將與台積電合作 CoPoS 封裝,但在 TGV 玻璃核心基板生產明確量產時間仍未公布,仍處於技術開發與客戶認證前期。
京東方
京東方為中國 LCD 面板製造龍頭,具有大尺寸玻璃面板搬運、真空鍍膜、曝光顯影、蝕刻、電鍍長期經驗。公司在玻璃基板進展:
2024 年投入約人民幣 9.93 億元建置玻璃封裝載板試驗線
2025 年已完成 20 層 (9-2-9) 大尺寸玻璃載板樣品並送樣,部分中國客戶完成概念認證
2026 年上半年進入試產,設計產能 1000 片/月
沃格光電
中國沃格光電早期主要從事傳統 FPD 顯示玻璃加工,包括:
玻璃薄化
切割與研磨
表面處理
鍍膜
顯示模組相關加工
奠基於以上經驗,公司近年積極轉向先進封裝用玻璃電路板加工,已建立 TGV 開孔、TGV 金屬化、雙面多層線路加工能力。公司針對 1.6T 光模組用的玻璃載板已向中國客戶送樣,但先進封裝用玻璃基板估計仍處於技術開發與客戶認證前期。
載板業者
載板廠商在載板領域深厚底子,使其在玻璃載板製作具備先天優勢:
TGV 金屬化、銅佈線能力優勢:有機載板製程原本就包含通孔孔壁金屬化與填銅、銅佈線形成,因此既有載板業者在玻璃基板 TGV 金屬化、銅佈線製程產線、設備可高度複用,長期製程經驗對於良率調教有先行優勢。
ABF 多層增層能力優勢:玻璃載板 ABF build up 製程與有機載板大致相同,因此既有載板業者在設備複用、高層數堆疊良率調教具備先天優勢。
CPU / GPU / ASIC 客戶關係優勢:載板業者龐大的 IC 晶片、先進封裝客戶基礎,以及長期與客戶合作開發經驗,有助於其理解客戶導入大尺寸玻璃載板痛點,縮短 design-in 與認證時間。
但載板業者在玻璃材料處理經驗缺乏,為明顯劣勢:
玻璃母材配方與製程劣勢:玻璃基板在先進封裝中的諸多優點:熱膨脹係數 CTE 可客製、平坦度與均勻性高、低鹼低應力,主要取決於玻璃材料配方與製程,而關鍵配方與專利掌握於上游玻璃母材業者手中。玻璃製程中的參數控制需要數十年的數據累積,不少設備更是由玻璃廠自研自製,對於新進業者形成極高製造門檻。
玻璃產線、加工處理經驗缺乏:不同於面板業者具備現成面板搬運、傳輸、大面積曝光顯影、大面積蝕刻的現成產線與經驗,載板業者在以上面向經驗與產線都缺乏,投入 TGV 開孔製程需要較玻璃與面板業者更多時間與資源。
基於以上,載板業者最適合的定位在於後期 ABF build-up、成品交付,TGV 開孔加工初期將以外購為主。但由於在金屬化、ABF 多層增層能力具備優勢,個人預期在細線寬線距的高階玻璃載板市場,主要仍將由既有載板大廠所主導。
SEMCO 三星電機:具備面板、載板、先進封裝整合優勢
SEMCO 為三星集團旗下電子零組件大廠,目前在全球 IC 載板市占率為前三大。憑藉三星集團在面板、半導體市場高能見度,SEMCO 在整合大尺寸面板處理、先進封裝內部資源上,先天就較對手具有更多優勢。
SEMCO 2025 年於韓國世宗廠建立試產線,並已開始生產玻璃核心載板原型;2026 年 7 月與住友化學旗下的東友精細化學成立合資公司 GlaSSEM,專注於研發與生產玻璃核心載板關鍵材料,補強玻璃核心製造供應鏈;目前預計 2027 年開始進入量產。
Absolics / SKC 集團:玻璃載板最接近商業化
Absolics 是韓國 SKC 集團與應用材料合資,專為玻璃基板所成立的美國子公司,在美國喬治亞州 Covington 有一玻璃基板專用工廠,具備完整的 TGV 開孔、TGV 金屬化能力。產品定位瞄準 AI、HPC 晶片封裝用玻璃載板,喬治亞州廠小量試產線於 2024 年完成建置, 2025 年開始首批商業化交付,正式較大規模量產預計於 2027 年展開。
Ibiden 揖斐電:切入用於 CoPoS 的玻璃載板
Ibiden 為 ABF 載板產業龍頭,長期為 NVIDIA、Intel、AMD 等的高階 server 載板核心供應商。公司已將玻璃核心 - ABF 載板列為下一世代技術開發項目,目前正與台積電、群創合作開發用於 CoPoS 的玻璃載板。參考 Ibiden 近期業務報告的資訊,預計量產時間可能落在 2029~2030 年。

(圖片來源:Ibiden 財務簡報)
Shinko Electric 新光電氣工業
新光電氣為日本老牌封裝載板大廠,長期是 Intel Server CPU 的 ABF 載板主力。參考公司技術論文內容,其已完成具 TGV 的玻璃核心載板工程試作品,並公開部分可靠性驗證結果,但還沒有任何試產與量產資訊揭露。考量 DNP 為大股東之一,估計向未來將是直接向 DNP 採購 TGV 開孔後的玻璃核心,後續再自行進行 ABF build-up 製程。
由以上來看,日、韓載板大廠都已投入玻璃載板研發與生產。至於台灣載板業者中,欣興算是相對積極業者,但所有業者對於在玻璃基板發展與規劃都未明確揭露,因此保守估計仍處於研發狀態。
晶圓製造業者
晶圓製造業者作為 2.5D、3D 先進封裝主導者,對於玻璃基板商用化導入速度具有決定性作用。儘管玻璃載板材料大概率以外購為主,但在玻璃中介層、少部分高階玻璃載板,仍將由晶圓製造業者自行製造整合。晶圓製造業者整合玻璃中介層優勢有:
類前段晶圓製程能力最強:玻璃中介層、高階玻璃載板在細線寬線距、超高密度銅佈線要求更高於一般玻璃載板,會需要導入更多類前段晶圓製造技術與設備,且封裝環節就必須與前段晶圓製程需共同設計優化,晶圓製造業者在前段製程能力明顯強勢
高階晶片客戶綁定優勢:5nm 以下先進晶圓製程掌握在台積電、三星、Intel 手中,先進晶圓製程業者可以透過其壟斷高階客戶先進製程優勢,順勢推銷搭售其後段封裝與玻璃中介層技術。
與載板業者類似,晶圓製造業者在玻璃材料、大尺寸面板處理經驗缺乏為明顯劣勢
玻璃母材配方與製程劣勢:玻璃基板在先進封裝中的諸多優點,主要取決於玻璃材料配方與製程,而關鍵配方與專利掌握於上游玻璃母材業者手中。玻璃製程中的參數控制需要數十年的數據累積,不少設備更是由玻璃廠自研自製,對於新進業者形成極高製造門檻。
玻璃產線、加工處理經驗缺乏:不同於面板業者具備現成面板搬運、傳輸、大面積曝光顯影、大面積蝕刻的現成產線與經驗,晶圓製造業者產線與設備主要圍繞 12 吋圓形晶圓設計,因此缺乏大尺寸面板搬運、Warpage 翹曲優化、大面積材料均勻的處理經驗相對缺乏。
由於玻璃中介層製程挑戰更高於玻璃載板,預期先進封裝短期將以導入玻璃載板為先,玻璃中介層商業化腳步較慢,因此晶圓製造業者短期在玻璃基板供應鏈角色更偏向採購與規格決定者。
Intel:玻璃載板最積極導入
Intel 目前玻璃材料技術上領先其他晶圓製造業者。繼 2023 年 9 月宣布將推動玻璃載板技術後,2026 年 1 月又展示將玻璃載板導入自家 EMIB 先進封裝技術最新進展:
整體封裝尺寸達 78mm × 77mm,可支援兩倍光罩尺寸大小晶片封裝
玻璃載板中心為 2 層玻璃核心,上層 10 層 RDL 堆疊,形成 10-2-10 結構的厚載板
載板上層 RDL 中嵌入兩個矽橋晶片,作為多個晶粒訊號互通媒介
載板上晶片凸塊間距 Bump pitch 僅 45 μm,明顯小於 ABF 載板的 90~130 µm
Intel 強調測試時並未遇到任何玻璃碎裂問題,這顯示公司已克服玻璃通孔 TGV、玻璃切割製程上挑戰

(圖片來源:Intel)
Intel 目前在玻璃載板推展,也較其他晶圓製造業者積極:
2023~2024 年已在亞利桑那州錢德勒建立試產線
隨著試產逐漸成熟,2025 年開始計劃將成熟技術經驗導入至新墨西哥州里奧蘭喬 (Rio Rancho) 工廠,將其打造為自有玻璃基板量產基地。
2026 年 Intel 宣布與 3D Glass Solutions 聯手在印度奧里薩邦 (Odisha) 建立玻璃基板、先進封裝與測試一體化工廠,預計 2028 年 8 月開始試產,2030 年 8 月全面量產
由以上規劃來看,Intel 在自家先進封裝導入玻璃載板導入時間點,可能落在 2029~2030 年。
台積電:CoWoS / CoPoS 有望導入玻璃載板
在先進封裝用玻璃基版採用上,台積電暗示將於 CoWoS / CoPoS 導入玻璃載板,取代既有有機載板
參考台積電 6 月 11 日在日本 JPCA Show 2026 會議簡報,正式宣布與 Ibiden 以及群創合作,開發玻璃核心 - ABF 載板。
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2026Q2 業績說明會中,經營階層明確暗示即將試產的 CoPoS,可能導入由外部載板業者提供的玻璃載板
魏哲嘉,台積電執行長:
… And we also work with substrate vendor so that our customer can have their product be in the market. The progress, we're building a pipeline that I announced a few quarters ago
需注意的是,CoPoS 製程估計仍不會導入玻璃中介層,所謂的 CoP (Chip-on-Panel) 是在封裝流程中用方形暫時載具 carrier 取代 12 吋圓形暫時載具 carrier,用以提升封裝效率;oS (on-Substrate) 段才是可能導入玻璃載板的環節。考量官方預計 CoPoS 試產成熟時間點在 2027 年中後,後續還需額外 1~1.5 年才能正式量產,推估台積電導入玻璃載板時間點可能落在 2028 年中~2029 年之後。

(圖片來源:台積電、郭明錤)
接下來 ...
本篇文章我們整理的先進封裝玻璃基板趨勢與競爭格局,下一篇文章我們將為讀者解析先進封裝玻璃基板的材料和設備供應鏈。