季報解析：應用材料 會計季度 23Q4

下面為 12/06 上線的 Podcast 290 集節目：應用材料最新季報解析的文字版整理。

前言

又來到台股美股提款機單元，在這個單元中，我們將透過產業角度，介紹台股供應鏈高連動的美股巨頭，讓你認識更多值得關注的美股標的。

半導體設備五巨頭之一：應用材料 (AMAT) 在 11/17 公布了最新一季營運報告。今天我們要來檢視報告中釋出的相關訊息。新聽眾或許對這間公司感到陌生，我們先簡單介紹一下應用材料的背景：

• 公司在美股 Nasdaq 上市，代號為 AMAT
• 應用材料設備業務多樣，薄膜沉積、蝕刻、研磨、離子植入、檢測等都有一定市佔規模，在整體半導體設備產業市占率約 20%，排名第一
• 應用材料目前市值約 1243 億美元，美股第 98 名，放在台股則僅次於台積電

綜合以上可知，應用材料是世界級公司，尤其在半導體設備產業地位舉足輕重。那我們為何要關注應用材料的營運狀況呢？了解應用材料營運狀態，對於台股投資人有什麼幫助嗎？

• 應用材料是台股許多設備公司最大的客戶，應用材料營運的好壞自然對這些公司影響巨大。因此有在投資台股設備公司的投資人，都應該關心應用材料的營運狀況。
• 我們可以從應用材料的業績了解半導體產業產能擴張狀況，如果連半導體設備營運都開始下滑，則明確代表半導體景氣走入衰退。因此關心台積電、聯發科、聯電等半導體相關公司的投資人，都應該關注應用材料的營運狀況。

應用材料會計季度 23Q4 營運表現回顧

回顧應用材料會計季度 23Q4 (日曆季度 23Q3) 損益表現，表現優於預期

• 營收 67.2 億美元，較上季成長 +4.6%，高於財測範圍中間數
• Non-gaap 毛利率 47.3%，較上季增加 0.9 個百分點，高於財測
• Non-gaap EPS 2.12 美元，較上季成長+11.6%，高於財測範圍中間數

中國需求強於預期，營收佔重由 27% 大幅躍升至 44%

公司上季表現超乎預期原因，與科林研發相同，主要來自於中國本土 DRAM 業者強力拉貨。受惠中國業者趕在美、荷設備出口限制禁令出台前加緊催貨，應用材料 DRAM 營收較上季成長 +66%，年成長高達 +64%；也使得中國區域營收季成長也高達 +71%，年成長 121.6%，佔公司營收比重更來到史無前例的 44%！

中國與成熟製程設備需求本季觸頂，24 年將降溫

展望本季 (會計季度 24Q1) 營運 ，應用材料預期將小幅回落：

• 營收 60.7~68.7 億美元，平均較上季衰退 (-4)%，較去年同期衰退 (-4)%
• Non-gaap 毛利率 47%，較上季減少 (-0.3) 個百分點
• Non-gaap EPS 1.72~2.08，平均較上季衰退 (-10.4)%

中國 DRAM 設備出貨將觸頂，24 年加緊催貨因素不再

本季中國 DRAM 設備拉貨需求依然強勁，公司甚至預期會較上季再進一步成長！然而本季也將是中國 DRAM 加緊催貨的最後一季，邁向 24 年後經營階層預期將回落：

It's just because the elevated DRAM shipments will normalize after Q1. So we had high DRAM in Q4. We expect that in Q1, and that should slow down after that …

公司的論述，符合個人上一季在解析應用材料季報時提到觀點：

DRAM 設備業務明年是否能重回成長，個人認為關鍵仍在於採用先進製程 DRAM 的伺服器、手機、PC 需求仍否回溫，不應對中國 DRAM 成熟製程設備採購力道過於期待。

也符合個人早先於科林研發季報解析時提到的觀點：

科林研發中國 DRAM 業務短期仍有高成長機會，唯獨中長期可持續性個人非常存疑

工業和車用市場疲軟，邏輯成熟製程 24 年將轉為衰退

不僅中國本土 DRAM 設備需求成長不再，23 年成長表現同樣亮眼的邏輯成熟製程設備業務也開始出現雜音。應用材料表示下游工業與汽車市場轉為疲軟下，已看到部分客戶開始推遲採購 (push out) 成熟製程設備，公司預期 24 年成熟製程設備需求將轉為下滑。

先進製程、記憶體設備需求 24 年將復甦

相較於中國與成熟製程業務觸頂回落，近期表現不佳的先進邏輯與記憶體設備業務，則有望由谷底反彈。

高速運算需求回溫，先進製程設備需求有望 24 年中復甦

23 年 PC、手機、伺服器三大市場需求疲軟，台積電下修資本支出，使得先進製程設備需求轉弱。然而展望 24 年，邏輯先進製程設備採購有機會重啟：

• 下游 PC、手機需求目前已落底回溫，伺服器去庫存也有望於 24 上半年結束；配合 AI 高速運算需求爆發，邏輯先進製程下游需求 24 年將重回成長
• 台積電日本熊本二廠部分產能規劃為 12/16nm FinFET 製程，預計 24 年底量產，設備必須提早自 24 年中前採購完成並移入
• 台積電美國廠 4nm 製程、高雄廠 2nm 製程產能預計 25 年投產，設備有機會提早自 24 年底前採購完成並移入

綜合以上，應用材料預期將推動相關設備業務自 24 年中復甦：

… it's really the advanced logic, we're expecting to accelerate in the second half of in our first half of '24. … So it would really be second half that we see improving leading logic.

過去兩季在 ASML 季報解析中，個人亦提出類似觀點：

邏輯製程設備需求疲軟將延續至 24 上半年，ASML 訂單復甦最快需待至 24 年中。

以此來看，應用材料經營階層論述與個人想法不謀而合。

NAND 設備 24 年產值不及 DRAM，但成長力道勝於 DRAM

至於 23 年衰退幅度最大的記憶體設備業務，在下游率先於 23Q2 落底回溫下，應用材料預期 24 年也將走上復甦軌道。但由於 AI 短期對於 DRAM 需求刺激明顯強於 NAND，公司更看好 DRAM 設備需求將強於 NAND。

不過需注意的是：應用材料的論點是由產值大小角度出發，預期 24 年 DRAM 設備產值將高於 NAND 設備產值。如果改以成長性角度，個人認為 DRAM 設備成長性將不如 NAND 設備：

• 中國於 23 年對 DRAM 設備瘋狂採購，雖然使得 DRAM 設備業務較 NAND 提早復甦，但也提前透支部分 DRAM 設備未來需求，將變相壓低 24 年成長動能。
• 參考半導體產業協會 SEMI 估計值，23 年 NAND 設備產值大幅衰退 (-67)% 下僅剩 60 億美元。儘管應用材料認為 NAND 設備 24 年產值佔整體晶圓設備支出比重將僅接近 10%，仍將明顯低於歷史平均水準，但以此推算 24 年 NAND 設備產值仍將有 90 億美元以上，仍可較 23 年成長至少 +50% 以上。

綜合以上，個人維持先前在科林研發季報解析中的預期：

即便短期 NAND 設備需求復甦落後於 DRAM，24 下半年後成長力道高機率將反超 DRAM。

由應用材料看相關產業鏈上公司展望

最後我們嘗試從應用材料的最新展望，推估其他相關產業鏈上公司未來營運表現。

同業：TEL、科林研發 24 年成長將優於同業，ASML 將落後於同業

參考應用材料前面觀點，可預期邏輯成熟製程設備業務明年將回落，抵銷邏輯先進製程復甦帶來成長，因此個人維持過去兩季以來的觀點：

• 2024 年邏輯製程設備反彈力道，將低於記憶體設備
• 記憶體設備比重最高的東京威力科創 TEL、科林研發 (LRCX) 24 年由底點反彈力道將最強，其次則是應用材料 (AMAT)，先進製程設備收入比重最高的 ASML 營運成長將不如同業

下游：中國邏輯成熟製程產能明顯擴張，對消費性 IC 設計負面影響高於晶圓代工

儘管中國與邏輯成熟製程設備採購於 24 年將放緩，不代表成熟製程供給將減少。過去 2 年中國大肆採購成熟製程設備，將在未來數年開始投產，使得當地邏輯成熟產能持續增加。儘管中國成熟製程代工技術和良率目前略為不如台灣，但在低價策略下仍可吸引當地中低階 IC 業者：中低階 DDIC、消費性 MCU、消費性 PMIC、功率元件轉單。個人預期：

• 邏輯成熟製程供過於求的壓力更勝於先進製程，產能利用率回升幅度將不及先進製程
• 以消費性 DDIC、MCU、功率 IC 業務為主的成熟製程代工業者：力積電、世界先進，24 年業務復甦力道將不如台積電、GlobalFoundries。

下游：合肥長鑫加碼 DRAM 產能擴張，對南亞科、華邦電帶來長期競爭威脅

中國 DRAM 龍頭 - 合肥長鑫過去兩季瘋狂大量採購設備，有可能於 24~25 年投產使得 DRAM 供給增加。考量合肥長鑫存儲目前最先進製程僅在 17~19nm，將對製程同樣在 19~25nm 的南亞科(2408)、華邦電(2344)、力積電(6770) 帶來競爭威脅最大。考量設備裝機到生產需要 3 季以上，投資人應該關注 24H2 後合肥長鑫產出動向，是否開始對南亞科、華邦電等利基 DRAM 業者帶來競爭壓力。

下游：合肥長鑫製程落後主流甚多，擴大設備採購無礙 DRAM 下游復甦

合肥長鑫存儲不僅產能增加，近期更推出 LPDDR5，意圖在手機市場取得影響力。但由於其目前最先進製程僅在 17~19nm，落後三星、海力士、美光領先業者製程至少 3 代，效能與成本也將明顯落後龍頭業者，理論上難以被伺服器、手機、PC 等主流市場所採用。

唯獨華為由於美國實體限制難以取得三星、海力士、美光先進 DRAM 晶片，轉為採用合肥長鑫存儲可能性極高。考量華為手機銷量市占率可能於 24 年增加 3 個百分點，而手機市場佔整體 DRAM 產值約 36%，合肥長鑫存儲對於主流市場影響估計僅在 1% 左右。

綜合以上，未來數年主流 DRAM 市場主要仍將由三星、海力士、美光主導，合肥長鑫存儲仍難以撼動。參考世界半導體貿易統計組織 WSTS 預測，24 年記憶體晶片營收成長率將高達 +44.8%，即便合肥長鑫存儲侵佔 1% 市占率，也無損明年 DRAM 下游復甦力道。個人持續預期：下游模組廠 - 威剛、創見、宇瞻，與晶片製造廠 - 美光、海力士 DRAM 營收仍將明顯成長。

下游：NAND 供給回升仍將低於長期平均，設備採購回溫無礙 NAND 下游復甦

儘管 NAND 上游設備採購支出於 24 年可能成長高達 5 成以上，但個人預期仍將無礙下游 NAND 晶片與模組業者復甦：

• 參考應用材料預測，由於 24 年 NAND 晶圓設備支出即便成長 5 成，也才回到 90 億美元，佔整體晶圓設備支出不到 10%，明顯低於過往動輒近 200 億美元支出水準，因此對供給增加影響將明顯低於過往
• 個人預期 NAND 晶圓設備採購上半年仍將保守謹慎，需至下半年才會顯著加溫。考量設備裝機到生產需要 3 季以上，要看到 NAND 晶圓設備支出回升對供給面產生影響，可能需待至 24 年底或 25 年初。

綜合以上，個人持續預期 24 年 下游 NAND 產值將持續加速復甦，有利下游模組廠 - 威剛、創見、宇瞻、群聯，與晶片製造廠 - 威騰 (WDC)、鎧俠、美光的 NAND 產品線獲利於 24 年加速回升。

結論

今天我們和大家聊了對應用材料最新季報的觀點。如果對於我們的美股系列有任何問題，也歡迎留言和我們詢問，我們下次再見。