IGZO 技術或開創半導體新紀元
為什麼重要
三星電子及其他半導體製造商通過開發基於 IGZO 的垂直通道電晶體，推動下一代 D 素的擴展，預計將對半導體產業的技術創新和生產力提升作出貢獻。
隨著 IGZO 等氧化物半導體在顯示器和半導體產業的應用範圍擴大，相關設備和材料供應商將獲得新的商業機會。
背景故事
三星顯示和蘋果等大企業正在對大面積 IT 用途的氧化物半導體進行投資，半導體產業也在積極研發這項技術。
英特爾、台積電、三星、海力士、美光等主要晶片製造商和研究所正在研究氧化物半導體技術，探索其在記憶體和邏輯領域的應用可能性。
發生了什麼
三星電子舉辦的國際記憶體工作坊（IMW）上介紹了基於 IGZO 的垂直通道電晶體（VCT），並宣布通過此技術推動下一代 D 素的擴展。
IGZO（銦、鎵、氧化鋅）是一種金屬氧化物材料，作為氧化物半導體的一種，具有在顯示器產業和記憶體領域應用的高可能性。
韓國漢陽大學的朴鎮成教授解釋說，IGZO 通道的沉積方法中，原子層沉積（ALD）比物理氣相沉積（PVD）更合理，雖然氧化物半導體的量產還需要時間，但許多半導體公司正積極投入研發，有望提前實現。
接下來如何
氧化物半導體技術的研發目標是在記憶體和邏輯領域的應用，特別是基於 IGZO 的垂直通道電晶體，提出了向下一代 D 素技術擴展的可能性。
預計氧化物半導體技術應用於記憶體需要 3～5 年，成功量產則需約 10 年時間，這將根據半導體產業的技術發展速度和市場需求而有所變化。
氧化物半導體技術的發展預計將有助於克服半導體製造過程的微縮極限，提高電力效率，並改善裝置的性能。
他們說什麼
漢陽大學的朴鎮成教授表示：「雖然氧化物半導體的量產還需要時間，但許多半導體公司正積極投入研發，有望提前實現。」
三星電子在 IMW 的發表中表示：「通過基於 IGZO 的垂直通道電晶體，推動下一代 D 素的擴展，」這表明了氧化物半導體技術的商業應用潛力。